반도체 메모리란? 디바이스 원리 ＜Mask ROM＞
Mask ROM 메모리 셀 구성
- 고집적화를 위해 NAND 구성 (1 트랜지스터 셀)
데이터 쓰기 방법
Wafer 프로세스 내에서 정보 쓰기
- "1"：트랜지스터에 이온 주입
- "0"：이온 주입 없음
데이터 읽기 방법
읽기 셀의 Word선 전위를 0V로
읽기 셀 이외의 Word선 전위를 Vcc로 → Bit선에 전압을 인가하여,
전류가 흐르면 "1"로 판단
Wafer 프로세스 내에서 정보 쓰기
읽기 셀의 Word선 전위를 0V로
읽기 셀 이외의 Word선 전위를 Vcc로 → Bit선에 전압을 인가하여,
전류가 흐르면 "1"로 판단
