반도체 메모리란? 반도체 메모리란?
반도체 메모리란, 반도체의 회로를 전기적으로 제어함으로써, 데이터를 기억 · 저장하는 반도체 회로 장치입니다.
자기 및 광학 디스크 장치 등과 비교 시,
- 데이터 읽기 및 쓰기 속도가 빠르다
- 기억 밀도가 높다
- 소비전력이 적다
- 진동에 강하다
는 특징이 있습니다.
전원 차단 시, 기억 내용이 지워지는 것을휘발성 메모리(Volatile Memory)、지워지지 않는 것을 비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory) 라고 합니다.
반도체 메모리 분류
* RAM(Random Access Memory):기억 내용을 자유롭게 읽고 쓸 수 있습니다.
* ROM(Read Only Memory):읽기 전용 메모리입니다.
각종 메모리의 특징
항목 | RAM | ROM | |||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
휘발성 | 비휘발성 | ||||||
SRAM | DRAM | FeRAM | Mask ROM | EPROM | EEPROM | FLASH | |
데이터 보존 방법 | 전압 인가 | 전압 인가 + 리프레쉬 |
불필요 | ||||
읽기 횟수 | ∞ | ∞ | 100억~ 1조회 |
∞ | ∞ | ∞ | ∞ |
덮어쓰기 가능 횟수 |
∞ | ∞ | 0회 | 100회 | 10만~ 100만회 |
1만~ 10만회 |
|
기판상에서의 쓰기 | 가능 | 가능 | 가능 | × | × | 가능 | 가능 |
읽기 시간 | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ |
쓰기 시간 | ◎ | ◎ | ○ | - | △ | △ | △ |
bit cost | △ | ○ | △ | ◎ | △ | △ | ◎ |
대용량화 | ○ | ◎ | △ | ◎ | △ | △ | ◎ |
메모리셀 | ![]() Flip-Flop 회로에 기억 |
![]() 콘덴서에 전하 저장 |
![]() 강유전체를 분극 |
![]() 트랜지스터에 이온 주입 |
![]() 플로팅 게이트에 전하 저장 |
![]() 플로팅 게이트에 전하 저장 |
![]() 플로팅 게이트에 전하 저장 |