SiC 파워 디바이스

실리콘 카바이드 (SiC / Silicon Carbide / 탄화 규소) 디바이스는, 실리콘 (Si) 디바이스에 비해 ON 저항이 낮고, 고온 · 고주파 · 고전압 환경에서의 성능이 우수하여, 차세대 저손실 반도체로서 주목받고 있습니다. SiC 디바이스의 우수한 성능을 통해 사용 부품수를 저감할 수 있으며, 설계가 용이해집니다.

SiC 디바이스는 저 ON 저항 특성으로, 기기의 에너지 소비량의 대폭적인 삭감에 기여합니다. 이에 따라, CO2 배출량을 억제하여, 친환경 제품 및 시스템을 설계할 수 있습니다.

로옴은 고효율로 절전 효과가 높은 SiC 파워 디바이스 및 모듈을 개발하여 다양한 업계의 폭넓은 용도에 대응하고 있습니다.

제4세대 SiC MOSFET

로옴이 양산을 시작한 제4세대 SiC MOSFET 는, 단락 내량 시간을 손상시키지 않고, 업계 최고 수준의 저 ON 저항을 실현한 디바이스입니다. 현재 베어 칩과 디스크리트 패키지로 제품을 전개하고 있습니다.

SiC 기술의 응용

We confirmed its usefulness and benefit when using the 4th generation SiC MOSFET through an experimental test using a step-down DC-DC converter a simulated running test using an EV traction inverter, and an experimental test using a Totem-pole PFC circuit were conducted.

라인업

SiC 관련 제품

로옴은 SiC 디바이스의 구동에 최적인 게이트 드라이버 IC를 개발하고 있습니다. SiC 디바이스와 조합하여 사용함으로써, SiC의 특성을 최대한으로 발휘시킬 수 있습니다. 또한, SiC MOSFET 를 내장한 AC/DC 컨버터 제어 IC 등, SiC 제품을 내장한 IC의 개발도 전개하고 있습니다.

Loading...