SiC 파워 디바이스
실리콘 카바이드 (SiC / Silicon Carbide / 탄화 규소) 디바이스는, 실리콘 (Si) 디바이스에 비해 ON 저항이 낮고, 고온 · 고주파 · 고전압 환경에서의 성능이 우수하여, 차세대 저손실 반도체로서 주목받고 있습니다. SiC 디바이스의 우수한 성능을 통해 사용 부품수를 저감할 수 있으며, 설계가 용이해집니다.
SiC 디바이스는 저 ON 저항 특성으로, 기기의 에너지 소비량의 대폭적인 삭감에 기여합니다. 이에 따라, CO2 배출량을 억제하여, 친환경 제품 및 시스템을 설계할 수 있습니다.
로옴은 고효율로 절전 효과가 높은 SiC 파워 디바이스 및 모듈을 개발하여 다양한 업계의 폭넓은 용도에 대응하고 있습니다.
EcoSiC™는 파워 디바이스 분야에서 실리콘 (Si)을 뛰어넘는 성능으로 주목받고 있는 실리콘 카바이드 (SiC) 소재를 채용한 디바이스의 브랜드입니다. 로옴은 웨이퍼 제조에서 제조 프로세스, 패키징, 품질 관리 방법에 이르기까지 SiC의 진화에 꼭 필요한 기술을 독자적으로 개발하고 있습니다. 또한, 제조 공정에 있어서도 일관 생산 체제를 채용함으로써, SiC 분야의 리딩 컴퍼니로서의 입지를 확립하였습니다.
* EcoSiC™는 로옴 주식회사의 상표 또는 등록상표입니다.
SiC Power Devices Brochure[신제품]2in1 SiC 몰드 타입 신형 모듈 「TRCDRIVE pack™」
TRCDRIVE pack™은 트랙션 인버터 구동용으로 개발한 SiC 몰드 타입 모듈의 상표로서, 방열 면적을 최대화하는 로옴의 독자적인 구조를 통해 컴팩트한 패키지를 실현하였습니다. 또한, 낮은 ON 저항의 제4세대 SiC MOSFET를 탑재함으로써 SiC 몰드 타입 모듈 일반품 대비 1.5배 높은 업계 최고 수준의 전력 밀도를 달성하여, xEV용 인버터의 소형화에 크게 기여합니다.
* TRCDRIVE pack™ 는 로옴 주식회사의 상표 또는 등록상표입니다.
제4세대 SiC MOSFET
로옴이 양산을 시작한 제4세대 SiC MOSFET 는, 단락 내량 시간을 개선하여, 업계 최고 수준의 저 ON 저항을 실현한 디바이스입니다.현재 베어 칩과 디스크리트 패키지로 제품을 전개하고 있습니다.
SiC 기술의 응용
로옴 디바이스의 채용 사례 및 고객과의 협업 안건에 대해 게재하고 있습니다.
We confirmed its usefulness and benefit when using the 4th generation SiC MOSFET through an experimental test using a step-down DC-DC converter a simulated running test using an EV traction inverter, and an experimental test using a Totem-pole PFC circuit were conducted.
라인업
SiC 관련 제품
로옴은 SiC 디바이스의 구동에 최적인 게이트 드라이버 IC를 개발하고 있습니다. SiC 디바이스와 조합하여 사용함으로써, SiC의 특성을 최대한으로 발휘시킬 수 있습니다. 또한, SiC MOSFET 를 내장한 AC/DC 컨버터 제어 IC 등, SiC 제품을 내장한 IC의 개발도 전개하고 있습니다.
