SiC 파워 디바이스

실리콘 카바이드 (SiC / Silicon Carbide / 탄화 규소) 디바이스는, 실리콘 (Si) 디바이스에 비해 ON 저항이 낮고, 고온 · 고주파 · 고전압 환경에서의 성능이 우수하여, 차세대 저손실 반도체로서 주목받고 있습니다. SiC 디바이스의 우수한 성능을 통해 사용 부품수를 저감할 수 있으며, 설계가 용이해집니다.

로옴은 고효율로 절전 효과가 높은 SiC 파워 디바이스 및 모듈을 개발하여 다양한 업계의 폭넓은 용도에 대응하고 있습니다.

SiC 기술의 응용 :

  • 태양광 및 풍력 발전용 DC/AC 컨버터의 고효율 인버터
  • 전기자동차 및 하이브리드 자동차용 파워 컨버터
  • 산업기기 및 에어컨용 파워 인버터
  • X선 발생 장치용 고전압 스위치
  • 박막 코팅 프로세스

로옴의 SiC 제품

로옴은 SiC 쇼트키 배리어 다이오드 (SBD), SiC MOSFET, Full SiC 파워 모듈 (SiC SBD와 SiC MOSFET 내장), 고열 저항 파워 모듈 등 폭넓은 라인업을 구비하고 있습니다. 이러한 고효율 디바이스는 최종 제품의 대폭적인 소형화에 기여합니다.

업계 최첨단 SiC 파워 솔루션

실리콘 카바이드가 파워 일렉트로닉스 분야에서 주목받는 재료인 이유에 대해 참조하여 주십시오. 저손실, 고내압, 고속 스위칭, 내열성 등 우수한 특성을 바탕으로, 실리콘 반도체 (Si) 대비 고효율, 소형 · 경량화가 가능합니다.

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