SiC MOSFET

SiC MOSFET

SiC MOSFET는 원리적으로 스위칭 시의 tail 전류가 발생하지 않아, 고속 동작과 낮은 스위칭 손실을 실현한 디바이스입니다. 저 ON 저항과 소형 칩 사이즈로, 게이트 전하 용량을 저감합니다. 또한, SiC는 ON 저항 증가를 최소한으로 억제하는 등 우수한 재료 특성으로, 온도 상승에 따라 ON 저항이 2배 이상으로 증가하는 실리콘 (Si) 디바이스에 비해 에너지 절약과 스페이스 절약 면에서 우수합니다.

로옴은 제3세대 트렌치 게이트 타입 SiC MOSFET인 SCT3 시리즈를 구비하고 있습니다. 이 시리즈는 6개의 베리에이션 (650V / 1200V)을 구비하고 있으며, Planar 타입의 제2세대 대비 ON 저항이 약 50% 낮아, 고효율이 요구되는 대규모 서버 전원, UPS 시스템, 태양광 파워 컨버터, 전기자동차 충전 스테이션 등에 최적입니다.

SCT3 시리즈로는 스위칭 성능을 최대화시키는 4단자 패키지 타입 (TO-247-4L)도 제공하고 있습니다. 기존의 3단자 패키지 타입에 비해, 스위칭 손실을 최대 35% 저감하여, 다양한 용도의 기기에서 저소비전류에 기여합니다. 또한, 소스 단자의 인덕턴스 부품으로 인해 게이트 전압이 강하하여 스위칭 속도가 저하되는 기존의 3단자 패키지 SiC MOSFET와는 달리, 새로운 4단자 패키지는 기존의 소스 단자와는 별도로 게이트 드라이브용 소스 단자를 구비하여 게이트 전압의 저하가 최소한으로 억제되므로 스위칭 성능을 최대화시킬 수 있습니다.

Easy Part Finder

 

Parametric Search

 

Supporting Information

 

[신제품] SCT3xxx xR 시리즈

고효율이 요구되는 서버용 전원 및 태양광 인버터, 전동차의 충전 스테이션 등에 최적인 트렌치 게이트 구조 SiC MOSFET 「SCT3xxx xR 시리즈」 6기종 (650V / 1200V 내압)을 개발하였습니다.
이번에 개발한 시리즈는 SiC MOSFET가 지닌 고속 스위칭 성능을 최대한으로 발휘시킬 수 있는 4단자 패키지 (TO-247-4L)를 채용하였습니다. 이에 따라, 기존의 3단자 패키지 (TO-247N) 대비 스위칭 손실을 약 35% 저감하여, 각종 기기의 저소비전력화에 기여합니다.
또한, SiC 디바이스의 구동에 최적인 로옴의 게이트 드라이버 IC (BM6101FV-C) 및 각종 전원 IC, 디스크리트 제품을 탑재한 SiC MOSFET 평가 보드 「P02SCT3040KR-EVK-001」도 제공함으로써, 디바이스 평가를 간단히 실시할 수 있는 솔루션을 제안하고 있습니다.

 

특징 : 4단자 패키지 (TO-247-4L) 채용으로, 스위칭 손실 약 35% 저감

기존의 3단자 패키지 (TO-247N)는, 소스 단자가 지닌 인덕턴스 성분으로 인해 게이트 전압이 저하되어, 스위칭 속도가 지연되는 원인이 되었습니다.
이번에 개발한 SCT3xxx xR 시리즈에서 채용한 4단자 패키지 (TO-247-4L)는 파워 소스 단자와 드라이버 소스 단자를 분리할 수 있어, 인덕턴스 성분으로 인한 영향을 억제할 수 있습니다. 이에 따라, SiC MOSFET의 고속 스위칭 성능을 최대화할 수 있으며, 특히 turn-on 시의 손실이 대폭 개선됩니다. Turn-on 손실과 turn-off 손실을 통틀어, 기존품 대비 약 35%의 손실 저감이 가능합니다.

SCT3xxx xR 시리즈 라인업
품명 드레인 - 소스
전압
VDS[V]
드레인 - 소스
ON 저항
RDS(on)@25℃
[mΩ(typ.)]
드레인
전류
ID@25℃
[A]
드레인
손실
PD
[W]
동작온도
범위
[℃]
패키지

SCT3030AR
650 30 70 262 -55~+175 TO-247-4L

SCT3060AR
60 39 165

SCT3080AR
80 30 134

SCT3040KR
1200 40 55 262

SCT3080KR
80 31 165

SCT3105KR
105 24 134

로옴의 SiC MOSFET

고속 · 저 ON 저항 실현

실리콘 디바이스로는 실현이 불가능했던 고속 스위칭과 저 ON 저항을 동시에 실현하여, 고온 영역에서도 우수한 전기적 특성을 실현합니다. 스위칭 손실의 대폭적인 저감과 주변 부품의 소형화에 기여합니다.

차세대 디바이스로의 진화, 제3세대 SiC MOSFET 디바이스

세계 최초로 트렌치 구조를 채용한 SiC MOSFET를 개발하여, 양산화에 성공하였습니다. 한차원 높은 저 ON 저항 디바이스를 실현함으로써, 모든 기기의 전력 손실 저감을 실현합니다.

※2018년 10월 로옴 조사