SiC MOSFET

SiC MOSFET는 원리적으로 스위칭 시의 tail 전류가 발생하지 않아, 고속 동작과 낮은 스위칭 손실을 실현한 디바이스입니다. 저 ON 저항과 소형 칩 사이즈로, 게이트 전하 용량을 저감합니다. 또한, SiC는 ON 저항 증가를 최소한으로 억제하는 등 우수한 재료 특성으로, 온도 상승에 따라 ON 저항이 2배 이상으로 증가하는 실리콘 (Si) 디바이스에 비해 에너지 절약과 스페이스 절약 면에서 우수합니다.

로옴은 제3세대 트렌치 게이트 타입 SiC MOSFET인 SCT3 시리즈를 구비하고 있습니다. 이 시리즈는 6개의 베리에이션 (650V / 1200V)을 구비하고 있으며, Planar 타입의 제2세대 대비 ON 저항이 약 50% 낮아, 고효율이 요구되는 대규모 서버 전원, UPS 시스템, 태양광 파워 컨버터, 전기자동차 충전 스테이션 등에 최적입니다.

SCT3 시리즈로는 스위칭 성능을 최대화시키는 4단자 패키지 타입 (TO-247-4L)도 제공하고 있습니다. 기존의 3단자 패키지 타입에 비해, 스위칭 손실을 최대 35% 저감하여, 다양한 용도의 기기에서 저소비전류에 기여합니다. 또한, 소스 단자의 인덕턴스 부품으로 인해 게이트 전압이 강하하여 스위칭 속도가 저하되는 기존의 3단자 패키지 SiC MOSFET와는 달리, 새로운 4단자 패키지는 기존의 소스 단자와는 별도로 게이트 드라이브용 소스 단자를 구비하여 게이트 전압의 저하가 최소한으로 억제되므로 스위칭 성능을 최대화시킬 수 있습니다.
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