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SiC MOSFET

SiC MOSFET는 원리적으로 스위칭 동작 시의 tail 전류가 없으므로, 고속으로 동작하여 스위칭 손실의 저감이 가능합니다. 작은 칩 사이즈로 저 ON 저항을 달성할 수 있으므로 저용량 · 낮은 Gate Charge를 실현합니다. 로옴의 제3세대 트렌치 게이트 타입 SiC MOSFET 「SCT3 시리즈」는 제2세대 Planar 타입 SiC MOSFET 대비, ON 저항을 약 50%, 입력 용량을 약 35% 저감하였습니다. xEV용 충전기 및 DC/DC 컨버터 용도에 적합하며, 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101에 준거하는 제품 라인업을 확충하고 있습니다.
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