GaN 파워 디바이스를 완벽하게 사용하는 방법
GaN HEMT의 고속 스위칭 성능을 최대화시키기 위해서는, 완벽하게 사용하기 위한 기술이 중요합니다. 구체적으로는 초고속 구동 게이트 드라이버 IC 및 고속 펄스 제어에 대응하는 컨트롤러 IC가 필요합니다.
이러한 과제를 해결하기 위해, 파워 스테이지 IC라는 명칭의, GaN HEMT와 게이트 IC를 1개의 패키지에 탑재한 제품이 있습니다.
파워 스테이지 IC를 사용하면, 번거로운 구동 조정이 필요 없어 Si MOSFET를 간단히 대체할 수 있습니다.
파워 스테이지 IC의 개요
GaN HEMT와 게이트 구동용 드라이버 IC를 1패키지에 탑재.
번거로운 구동 조정이 필요 없어, GaN HEMT의 성능을 최대화시킬 수 있습니다.
관련 부품수 삭감
반도체 메이커인 로옴의 파워 스테이지 IC는 주변의 관련 부품을 탑재하여, 관련 부품수 및 실장 면적 삭감, 실장 비용 저감에도 기여합니다.
