GaN HEMT 파워 스테이지 IC

로옴의 GaN HEMT 파워 스테이지 IC는 높은 전력 밀도와 효율을 필요로 하는 모든 일렉트로닉스 시스템에 최적인 솔루션을 제공합니다.
차세대 파워 디바이스 GaN HEMT와 GaN HEMT의 퍼포먼스를 최대화시키기 위해 최적화된 게이트 구동용 드라이버를 1 패키지에 탑재하였습니다.
폭넓은 입력전압 범위 : 2.5V~30V에도 대응하여, 다양한 컨트롤러 IC와 조합할 수 있습니다. 이러한 특징으로 Super Junction MOSFET와 같은 기존의 디스크리트 파워 스위치를 대체하여 사용할 수 있습니다.

로옴은 어플리케이션의 저전력 및 소형화에 기여하는 GaN 디바이스를 「EcoGaN™ 시리즈」로 라인업하여, 디바이스의 한차원 높은 성능 향상을 위한 제품을 전개하고 있습니다. 또한, 디바이스 개발과 더불어 전략적 파트너십 체결 및 공동 개발도 추진하여 어플리케이션의 고효율화, 소형화에 기여함으로써 사회 과제의 해결에 기여합니다.
* EcoGaN™은 로옴 주식회사의 상표 또는 등록상표입니다.