반도체 메모리란? 디바이스 원리 <SRAM>
메모리 셀 구성
- 6 트랜지스터 셀로 구성
- 4 트랜지스터 셀 (고저항 부하 타입 셀) 로 구성
![저소비전력판과 고밀도판](/documents/11417/4110913/memory_what3_kr_01.png/41e20d31-5a06-8eed-5091-edca3d5d0940?t=1520228572107)
데이터 쓰기 방법
<"1"의 경우>
- Word선 전위를 high
- Bit선의 전위를 부여 (D=low, D=high) → Flip-Flop 상태 결정
- Word선 전위를 low
데이터 읽기 방법
<"1"의 경우>
- Word선 전위를 off
- Bit선을 프리차지 (D, D에 동일 전위)
- Word선 전위를 high
- Bit선이 low, high의 상태가 됨
- 센스 앰프로 증폭
![데이터 읽기 방법](/documents/11417/4110913/memory_what3_kr_02.png/478622e4-30fa-b926-2f59-a7f296e2c05a?t=1520228571377)
Flip-Flop 회로에 의해 "1"、"0"을 기억