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반도체 메모리란? 디바이스 원리 ＜SRAM＞

메모리 셀 구성

  • 6 트랜지스터 셀로 구성
  • 4 트랜지스터 셀 (고저항 부하 타입 셀) 로 구성
저소비전력판과 고밀도판

데이터 쓰기 방법

＜"1"의 경우＞

  1. Word선 전위를 high
  2. Bit선의 전위를 부여 （D=low, D=high） → Flip-Flop 상태 결정
  3. Word선 전위를 low

데이터 읽기 방법

＜"1"의 경우＞

  1. Word선 전위를 off
  2. Bit선을 프리차지 （D, D에 동일 전위)
  3. Word선 전위를 high
  4. Bit선이 low, high의 상태가 됨
  5. 센스 앰프로 증폭
데이터 읽기 방법

Flip-Flop 회로에 의해 "1"、"0"을 기억

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