로옴 주식회사 (본사 : 교토)는 SiC MOSFET의 TSC3PAK (14.00×18.58×3.50mm) 패키지를 개발하였습니다. 신제품은 자동 실장이 가능한 면실장 제품으로, 방열면을 패키지 윗면에 배치한 구조를 채용함으로써, 기존의 리드 타입 패키지 (TO-247-4L)와 동등한 수준의 방열 성능을 실현하였습니다. xEV (전동차)의 온보드 차저 (OBC)나 전동 컴프레서 등에서 전력 변환 회로의 고효율화와 고신뢰성화에 기여합니다.
신제품은 패키지에 독자적인 홈을 형성함으로써 업계 최고 수준※의 연면 거리※1 6.66mm를 확보하였습니다. 시장에서 폭넓게 보급된 패키지와의 호환성을 유지함과 동시에 오염도 2※2 환경 하에서 1200V의 AC 피크 전압 대응을 실현하였습니다. 이를 통해, 고내압 어플리케이션에서 안전한 절연 설계가 가능해짐에 따라 실장 비용 삭감과 신뢰성 향상에도 기여합니다.
또한 로옴의 제4세대 SiC MOSFET를 탑재함으로써 낮은 ON 저항과 고속 스위칭 특성을 실현하였습니다. 전력 변환 시의 스위칭 손실을 대폭 저감하여, 어플리케이션의 고효율화와 저전력화에 기여합니다.
신제품은 2026년 6월부터 양산을 개시하였습니다 (샘플 가격 5,500엔 /개, 세금 불포함). 온라인 판매에도 대응하여 Arrow.com 및 CoreStaff Online 등 온라인 부품 유통 사이트에서 구입 가능합니다. 또한, 시뮬레이션 모델을 로옴 공식 Web 사이트에서 제공하여, 신속한 회로 검토를 서포트하고 있습니다.
앞으로도 로옴은 SiC MOSFET의 라인업을 한층 더 확충하여 전자기기의 고성능화, 소형화, 고신뢰성화에 기여해 나갈 것입니다.
xEV의 경우, 충전 속도 향상 및 주행 거리 연장을 목적으로 메인 인버터뿐만 아니라 OBC나 전동 컴프레서와 같은 전력 변환 회로에도 SiC 디바이스의 채용이 확대되고 있습니다. 또한, 산업기기 분야에서도 고성능 서버 전원 및 PV 인버터 등의 고효율 동작에 기여하는 디바이스로서 SiC 디바이스의 탑재가 가속화되고 있습니다.
기존의 SiC 디바이스는 대전력 동작 시의 발열을 고효율로 발산시키기 위해, 방열성이 우수한 리드 타입 패키지가 주류로 사용되었습니다. 그러나 리드타입 패키지의 경우, 수작업을 통한 실장 공정과 더불어 패키지 형상의 제약으로 인해 박형화가 어렵다는 과제가 있었습니다.
이러한 과제에 대응하여 최근에는 자동 실장이 가능한 면실장 타입 SiC 디바이스가 보급되기 시작하였습니다. 신제품은 면실장 패키지이지만, TO-247과 같은 리드 타입 패키지와 동등한 수준의 방열 성능을 실현하였습니다.
＜어플리케이션 예＞
자동차기기 : 온보드 차저 (OBC), 전동 컴프레서 등
산업기기 : PV 인버터, 서버 전원 등
＜「EcoSiC™ (에코 에스아이씨)」 브랜드＞
EcoSiC™는 파워 디바이스 분야에서 실리콘 (Si)을 뛰어넘는 성능으로 주목받고 있는 실리콘 카바이드 (SiC) 소재를 채용한 디바이스의 브랜드입니다. 로옴은 웨이퍼 제조에서 제조 프로세스, 패키징, 품질 관리 방법에 이르기까지 SiC의 진화에 꼭 필요한 기술을 독자적으로 개발하고 있습니다. 또한, 제조 공정에 있어서도 일관 생산 체제를 채용함으로써, SiC 분야의 리딩 컴퍼니로서 입지를 확립하였습니다.
EcoSiC™는 로옴 주식회사의 상표 또는 등록상표입니다.
＜용어 설명＞
※1 : 연면 거리
2개의 도전체 사이 절연물의 표면에 따라 연결한 최단 거리. 반도체 설계 시에는 전기 충격이나 누전, 반도체 제품의 단락 (쇼트)을 방지하기 위해, 이러한 연면 거리나 공간 거리를 확보하는 절연 대책이 필요하다.
※2 : 오염도 2
오염도 2는 가정이나 오피스 등 일반적인 환경에 해당되며, 건조한 비도전성의 오염물만이 존재하는 상태. 오염도는 부품의 공간 거리나 연면 거리를 결정할 때 영향을 미치는 환경의 등급으로, 오염 물질의 유무나 양, 상태에 따라 1~4로 분류된다.
상면 방열의 새로운 패키지! 고방열과 고내압을 동시에 실현한 SiC MOSFET
로옴 주식회사 (본사 : 교토)는 SiC MOSFET의 TSC3PAK (14.00×18.58×3.50mm) 패키지를 개발하였습니다. 신제품은 자동 실장이 가능한 면실장 제품으로, 방열면을 패키지 윗면에 배치한 구조를 채용함으로써, 기존의 리드 타입 패키지 (TO-247-4L)와 동등한 수준의 방열 성능을 실현하였습니다. xEV (전동차)의 온보드 차저 (OBC)나 전동 컴프레서 등에서 전력 변환 회로의 고효율화와 고신뢰성화에 기여합니다.
신제품은 패키지에 독자적인 홈을 형성함으로써 업계 최고 수준※의 연면 거리※1 6.66mm를 확보하였습니다. 시장에서 폭넓게 보급된 패키지와의 호환성을 유지함과 동시에 오염도 2※2 환경 하에서 1200V의 AC 피크 전압 대응을 실현하였습니다. 이를 통해, 고내압 어플리케이션에서 안전한 절연 설계가 가능해짐에 따라 실장 비용 삭감과 신뢰성 향상에도 기여합니다.
또한 로옴의 제4세대 SiC MOSFET를 탑재함으로써 낮은 ON 저항과 고속 스위칭 특성을 실현하였습니다. 전력 변환 시의 스위칭 손실을 대폭 저감하여, 어플리케이션의 고효율화와 저전력화에 기여합니다.
신제품은 2026년 6월부터 양산을 개시하였습니다 (샘플 가격 5,500엔 /개, 세금 불포함). 온라인 판매에도 대응하여 Arrow.com 및 CoreStaff Online 등 온라인 부품 유통 사이트에서 구입 가능합니다. 또한, 시뮬레이션 모델을 로옴 공식 Web 사이트에서 제공하여, 신속한 회로 검토를 서포트하고 있습니다.
앞으로도 로옴은 SiC MOSFET의 라인업을 한층 더 확충하여 전자기기의 고성능화, 소형화, 고신뢰성화에 기여해 나갈 것입니다.
※2026년 7월 9일 현재 로옴 조사
1개부터 구입 가능
Sheet
(AEC-Q101 Qualified)
Sheet
[V]
[mΩ]
[A]
＜개발 배경＞
xEV의 경우, 충전 속도 향상 및 주행 거리 연장을 목적으로 메인 인버터뿐만 아니라 OBC나 전동 컴프레서와 같은 전력 변환 회로에도 SiC 디바이스의 채용이 확대되고 있습니다. 또한, 산업기기 분야에서도 고성능 서버 전원 및 PV 인버터 등의 고효율 동작에 기여하는 디바이스로서 SiC 디바이스의 탑재가 가속화되고 있습니다.
기존의 SiC 디바이스는 대전력 동작 시의 발열을 고효율로 발산시키기 위해, 방열성이 우수한 리드 타입 패키지가 주류로 사용되었습니다. 그러나 리드타입 패키지의 경우, 수작업을 통한 실장 공정과 더불어 패키지 형상의 제약으로 인해 박형화가 어렵다는 과제가 있었습니다.
이러한 과제에 대응하여 최근에는 자동 실장이 가능한 면실장 타입 SiC 디바이스가 보급되기 시작하였습니다. 신제품은 면실장 패키지이지만, TO-247과 같은 리드 타입 패키지와 동등한 수준의 방열 성능을 실현하였습니다.
＜어플리케이션 예＞
＜「EcoSiC™ (에코 에스아이씨)」 브랜드＞
EcoSiC™는 파워 디바이스 분야에서 실리콘 (Si)을 뛰어넘는 성능으로 주목받고 있는 실리콘 카바이드 (SiC) 소재를 채용한 디바이스의 브랜드입니다. 로옴은 웨이퍼 제조에서 제조 프로세스, 패키징, 품질 관리 방법에 이르기까지 SiC의 진화에 꼭 필요한 기술을 독자적으로 개발하고 있습니다. 또한, 제조 공정에 있어서도 일관 생산 체제를 채용함으로써, SiC 분야의 리딩 컴퍼니로서 입지를 확립하였습니다.
EcoSiC™는 로옴 주식회사의 상표 또는 등록상표입니다.
＜용어 설명＞
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