SCT4036KTWHR (신제품)
1200V, 41A, 9핀 SMD, 트렌치 구조, 오토모티브용 SiC MOSFET
SCT4036KTWHR (신제품)
1200V, 41A, 9핀 SMD, 트렌치 구조, 오토모티브용 SiC MOSFET
본 제품은 TSC3PAK 패키지의 SiC MOSFET입니다. 패키지 상단에 방열면이 위치하는 Top-side 열 방출 구조를 특징으로 하는 TSC3PAK는 면실장 설계임에도 기존의 Through-hole 패키지와 동등한 열 방출 성능을 달성합니다. 또한, ROHM의 독자적인 Groove 구조를 통해 6.66mm의 연면 거리를 확보하여, Pollution Degree 2 환경에서 AC 피크 전압 1200V를 지원합니다. 이를 통해 고전압 애플리케이션에서 안전한 절연 설계 및 높은 신뢰성 확보에 기여합니다. 또한, 본 제품은 낮은 ON 저항과 고속 스위칭을 실현하여 전력 변환 회로의 효율 향상 및 저소비전력화에 기여합니다. xEV의 온보드 충전기 및 전동 컴프레서, PV 인버터 및 서버 전원 장치 등에 최적입니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
36
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
41
Total Power Dissipation[W]
163
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
Common Standard
AEC-Q100 (Automotive Grade)
특징 :
- AEC-Q101 준거
- 넓은 연면 거리 = 최소 6.66mm
- 낮은 ON 저항
- 고속 스위칭
- 고속 역회복
- 병렬화 용이
- 심플한 구동
- Pb-free 리드 도금 ; RoHS 준수
