ROHM Product Detail

SCT4026DTWHR (신제품)
750V, 54A, 9-pin SMD, Trench-structure, 오토모티브용 SiC MOSFET

이 제품은 TSC3PAK 패키지의 SiC MOSFET입니다. 패키지 상부에 방열면이 위치하는 Top-side 방열 구조를 특징으로 하는 TSC3PAK는 면실장 설계를 유지하면서 기존 스루홀 패키지에 필적하는 방열 성능을 실현합니다. 또한 ROHM의 독자적인 그루브 구조는 6.66mm의 연면 거리를 확보하여 오염도 2 환경에서 1200V의 AC 피크 전압을 지원할 수 있습니다. 이는 고전압 어플리케이션에서 안전한 절연 설계와 높은 신뢰성에 기여합니다. 또한 이 제품은 낮은 ON 저항과 고속 스위칭을 실현하여 전력 변환 회로의 효율 향상 및 소비전력 저감에 기여합니다. xEV의 온보드 충전기 및 전동 컴프레서, PV 인버터 및 서버 전원 공급 장치에 최적입니다.

Product Detail

 
형명 | SCT4026DTWHRTCR
상태 | 추천품
패키지 | TSC3PAK
포장 사양 | Taping
포장 수량 | 600
최소 포장 단위 | 600
RoHS | Yes

사양 :

Drain-source Voltage[V]

750

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

26

Generation

4th Gen (Trench)

Drain Current[A]

54

Total Power Dissipation[W]

163

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

14.0x18.58 (t=3.625)

Common Standard

AEC-Q100 (Automotive Grade)

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특징 :

  • AEC-Q101 준거
  • 넓은 연면 거리 = min.6.66mm
  • 낮은 ON 저항
  • 고속 스위칭 속도
  • 고속 역회복
  • 병렬 연결 용이
  • 간편한 구동
  • Pb-free 도금; RoHS 준수
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