SCT4062KTWHR (신제품)
오토모티브용 1200V, 25A, 9핀 SMD, Trench 구조 SiC MOSFET
SCT4062KTWHR (신제품)
오토모티브용 1200V, 25A, 9핀 SMD, Trench 구조 SiC MOSFET
본 제품은 TSC3PAK 패키지를 채용한 SiC MOSFET입니다. TSC3PAK는 방열면이 패키지 상면에 있는 Top-side 방열 구조를 통해, 기존의 Through-hole 패키지와 동등한 방열 성능을 유지하면서 표면 실장을 실현합니다. 또한, ROHM 독자적인 그루브 구조를 통해 연면거리는 6.66mm를 확보하여 오염도 2환경에서 AC 피크 전압 1200V 대응이 가능합니다. 이로써 고전압 애플리케이션의 안전한 절연 설계 및 고신뢰화에 기여합니다. 또한, 저 ON 저항 및 고속 스위칭을 달성하여 전력 변환 회로의 고효율화 및 저소비전력화에 기여합니다. xEV 온보드 충전기 및 전동 컴프레서, PV 인버터 및 서버 전원 등에 최적입니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
62
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
25
Total Power Dissipation[W]
106
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
Common Standard
AEC-Q100 (Automotive Grade)
특징 :
- AEC-Q101 준거
- 넓은 연면거리 = min.6.66mm
- 저 ON 저항
- 고속 스위칭 속도
- 고속 역회복
- 병렬화 용이
- 심플한 구동
- Pb-free 리드 도금 ; RoHS 준수
