SCT4018KTW (신제품)
1200V, 79A, 9핀 SMD, Trench-structure, SiC MOSFET
SCT4018KTW (신제품)
1200V, 79A, 9핀 SMD, Trench-structure, SiC MOSFET
본 제품은 TSC3PAK 패키지의 SiC MOSFET입니다. 패키지 상부에 방열면이 위치하는 상면 방열 구조의 TSC3PAK은 면실장 디자인을 유지하면서 기존의 Through-hole 패키지와 동등한 방열 성능을 실현합니다. 또한 ROHM의 독자적인 그루브 구조를 통해 연면거리를 6.66mm 확보하여, 오염도 2 환경에서 AC 피크 전압 1200V를 지원할 수 있습니다. 이는 고전압 어플리케이션에서 안전한 절연 설계 및 높은 신뢰성 확보에 기여합니다. 더불어 낮은 ON 저항 및 고속 스위칭을 실현하여, 전력 변환 회로의 고효율화 및 저소비전력화에 기여합니다. xEV의 온보드 충전기 및 전동 컴프레서, PV 인버터 및 서버 전원 등의 용도에 최적입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
18
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
79
Total Power Dissipation[W]
294
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
특징 :
- 넓은 연면거리 = min.6.66mm
- 낮은 ON 저항
- 고속 스위칭 스피드
- 빠른 역방향 회복
- 병렬 연결 용이
- 간편한 구동
- 무연 도금 ; RoHS 준수
