SCT4018KTW (신제품)
1200V, 79A, 9핀 SMD, Trench-structure, SiC MOSFET
SCT4018KTW (신제품)
1200V, 79A, 9핀 SMD, Trench-structure, SiC MOSFET
본 제품은 TSC3PAK 패키지의 SiC MOSFET입니다. 패키지 상부에 방열면이 위치하는 상면 방열 구조의 TSC3PAK은 면실장 디자인을 유지하면서 기존의 Through-hole 패키지와 동등한 방열 성능을 실현합니다. 또한 ROHM의 독자적인 그루브 구조를 통해 연면거리를 6.66mm 확보하여, 오염도 2 환경에서 AC 피크 전압 1200V를 지원할 수 있습니다. 이는 고전압 어플리케이션에서 안전한 절연 설계 및 높은 신뢰성 확보에 기여합니다. 더불어 낮은 ON 저항 및 고속 스위칭을 실현하여, 전력 변환 회로의 고효율화 및 저소비전력화에 기여합니다. xEV의 온보드 충전기 및 전동 컴프레서, PV 인버터 및 서버 전원 등의 용도에 최적입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
18
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
79
Total Power Dissipation[W]
294
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
특징 :
- 넓은 연면거리 = min.6.66mm
- 낮은 ON 저항
- 고속 스위칭 스피드
- 빠른 역방향 회복
- 병렬 연결 용이
- 간편한 구동
- 무연 도금 ; RoHS 준수
Supporting Information
개요
본 제품은 TSC3PAK (14.00×18.58×3.50mm) 패키지를 채용한 SiC MOSFET입니다. 자동 실장이 가능한 면실장 제품으로, 방열면을 패키지 윗면에 배치한 구조를 채용함으로써 기존의 리드 타입 패키지 (TO-247-4L)와 동등한 수준의 방열 성능을 실현하였습니다.
본 제품은 패키지에 독자적인 홈을 형성함으로써 연면 거리 6.66mm를 확보하였습니다. 시장에서 폭넓게 보급된 패키지와의 호환성을 유지함과 동시에 오염도 2 환경 하에서 1200V의 AC 피크 전압 대응을 실현하였습니다. 이를 통해, 고내압 어플리케이션에서 안전한 절연 설계가 가능해짐에 따라 실장 비용 삭감과 신뢰성 향상에도 기여합니다.
또한 로옴의 제4세대 SiC MOSFET를 탑재함으로써 낮은 ON 저항과 고속 스위칭 특성을 실현하였습니다. 전력 변환 시의 스위칭 손실을 대폭 저감하여, 어플리케이션의 고효율화와 저전력화에 기여합니다.
개발 배경
산업기기 분야에서는 고성능 서버 전원 및 PV 인버터 등의 고효율 동작에 기여하는 디바이스로서 SiC 디바이스의 탑재가 가속화되고 있습니다.
기존의 SiC 디바이스는 대전력 동작 시의 발열을 고효율로 발산시키기 위해, 방열성이 우수한 리드 타입 패키지가 주류로 사용되었습니다. 그러나 리드 타입 패키지의 경우, 수작업을 통한 실장 공정과 더불어 패키지 형상의 제약으로 인해 박형화가 어렵다는 과제가 있었습니다.
이러한 과제에 대응하여 최근에는 자동 실장이 가능한 면실장 타입 SiC 디바이스가 보급되기 시작하였습니다. 본 제품은 면실장 패키지이지만, TO-247과 같은 리드 타입 패키지와 동등한 수준의 방열 성능을 실현하였습니다.
어플리케이션 예
・산업기기 : PV 인버터, 서버 전원 등
