SCT4065DTW (신제품)
750V, 24A, 9핀 SMD, 트렌치 구조, 실리콘 카바이드 (SiC) MOSFET
SCT4065DTW (신제품)
750V, 24A, 9핀 SMD, 트렌치 구조, 실리콘 카바이드 (SiC) MOSFET
본 제품은 TSC3PAK 패키지의 SiC MOSFET입니다. TSC3PAK은 방열면이 패키지 상단에 위치한 상면 방열 구조를 채택하여, 표면 실장형 디자인을 유지하면서도 기존 스루홀 패키지에 버금가는 방열 성능을 실현합니다. 또한, ROHM의 독자적인 그루브 구조는 6.66mm의 연면 거리를 확보하여 오염 등급 2 환경에서 1200V AC 피크 전압을 지원할 수 있습니다. 이는 고전압 애플리케이션에서 안전한 절연 설계와 높은 신뢰성에 기여합니다. 더 나아가, 본 제품은 낮은 온 저항과 고속 스위칭을 달성하여 전력 변환 회로의 효율 향상과 전력 소비 절감에 기여합니다. xEV의 온보드 충전기 및 전기 컴프레서, PV 인버터 및 서버 전원 공급 장치에 이상적입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
65
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
24
Total Power Dissipation[W]
81
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
특징 :
- 넓은 연면 거리 = 최소 6.66mm
- 낮은 온 저항
- 빠른 스위칭 속도
- 빠른 역방향 복구
- 병렬 연결 용이
- 간편한 구동
- Pb-free 리드 도금; RoHS 준수
