SCT4036KTW (신제품)
1200V, 41A, 9-pin SMD, 트렌치 구조, SiC MOSFET
SCT4036KTW (신제품)
1200V, 41A, 9-pin SMD, 트렌치 구조, SiC MOSFET
이 제품은 TSC3PAK 패키지의 SiC MOSFET입니다. 패키지 상단에 방열면이 위치하는 Top-side 방열 구조를 통해, TSC3PAK는 면실장 설계임에도 기존 스루홀 패키지에 필적하는 방열 성능을 실현합니다. 또한, ROHM 독자적인 그루브 구조로 연면 거리 6.66mm를 확보하여 오염 등급 2 환경에서 AC 피크 전압 1200V에 대응합니다. 이는 고전압 애플리케이션에서 안전한 절연 설계와 높은 신뢰성에 기여합니다. 더 나아가, 이 제품은 낮은 ON 저항과 고속 스위칭을 실현하여 전력 변환 회로의 효율 향상 및 소비전력 저감에 기여합니다. xEV의 온보드 충전기 및 전기 컴프레서, PV 인버터 및 서버 전원 등에 최적입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
36
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
41
Total Power Dissipation[W]
163
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
특징 :
- 넓은 연면 거리 = 최소 6.66mm
- 낮은 ON 저항
- 고속 스위칭 속도
- 고속 역회복
- 병렬 연결 용이
- 간단한 구동
- Pb-free 리드 도금, RoHS 규격 준수
