ROHM Product Detail

SCT4018KTWHR (신제품)
1200V, 79A, 9핀 SMD, 트렌치 구조, 오토모티브용 SiC MOSFET

이 제품은 TSC3PAK 패키지에 담긴 SiC MOSFET입니다. 패키지 상단에 방열면이 있는 상면 방열 구조가 특징인 TSC3PAK는 표면 실장형 디자인을 유지하면서 기존 스루홀 패키지에 버금가는 방열 성능을 제공합니다. 또한, ROHM의 독자적인 그루브 구조는 6.66mm의 연면 거리를 확보하여 오염 등급 2 환경에서 1200V의 AC 피크 전압을 지원합니다. 이는 고전압 애플리케이션에서 안전한 절연 설계와 높은 신뢰성에 기여합니다. 더 나아가, 이 제품은 낮은 ON 저항과 고속 스위칭을 달성하여 전력 변환 회로의 효율성을 높이고 전력 소비를 줄이는 데 기여합니다. xEV의 온보드 충전기 및 전기 컴프레서, PV 인버터 및 서버 전원 공급 장치에 이상적입니다.

Product Detail

 
형명 | SCT4018KTWHRTCR
상태 | 추천품
패키지 | TSC3PAK
포장 사양 | Taping
포장 수량 | 600
최소 포장 단위 | 600
RoHS | Yes

사양 :

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

18

Generation

4th Gen (Trench)

Drain Current[A]

79

Total Power Dissipation[W]

294

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

14.0x18.58 (t=3.625)

Common Standard

AEC-Q100 (Automotive Grade)

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특징 :

  • AEC-Q101 준거
  • 넓은 연면 거리 = 최소 6.66mm
  • 낮은 온 저항
  • 빠른 스위칭 속도
  • 빠른 역방향 복구
  • 병렬 연결 용이
  • 구동 용이
  • Pb-Free 리드 도금; RoHS 준수
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