SCT4027KTW (신제품)
1200V, 54A, 9핀 SMD, Trench 구조, SiC MOSFET
SCT4027KTW (신제품)
1200V, 54A, 9핀 SMD, Trench 구조, SiC MOSFET
이 제품은 TSC3PAK 패키지의 SiC MOSFET입니다. 패키지 상단에 방열면이 있는 Top-side 방열 구조를 특징으로 하는 TSC3PAK은 표면 실장형 디자인을 유지하면서 기존의 Through-hole 패키지와 동등한 방열 성능을 달성합니다. 또한, ROHM의 독자적인 Groove 구조는 6.66mm의 Creepage 거리를 확보하여 오염 등급 2 환경에서 1200V의 AC 피크 전압을 지원할 수 있습니다. 이는 고전압 애플리케이션에서 안전한 절연 설계와 높은 신뢰성에 기여합니다. 더 나아가, 이 제품은 낮은 ON 저항과 고속 스위칭을 달성하여 전력 변환 회로의 효율 향상과 소비 전력 저감에 기여합니다. xEV의 온보드 충전기 및 전기 압축기, PV 인버터 및 서버 전원 공급 장치에 이상적입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
27
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
54
Total Power Dissipation[W]
208
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
특징 :
- 넓은 Creepage 거리 = 최소 6.66mm
- 낮은 ON 저항
- 고속 스위칭
- 고속 역회복
- 병렬 연결 용이
- 간편한 구동
- 무연 도금 ; RoHS 준수
