ROHM Product Detail

SCT4036DTWHR (신제품)
750V, 40A, 9-pin SMD, Trench-structure, 오토모티브용 SiC MOSFET

이 제품은 TSC3PAK 패키지에 담긴 SiC MOSFET입니다. 패키지 상단에 방열면이 위치하는 상면 방열 구조를 특징으로 하는 TSC3PAK는 표면 실장 디자인을 유지하면서도 기존의 Through-hole 패키지와 동등한 방열 성능을 달성합니다. 또한 ROHM의 독자적인 Groove 구조는 6.66mm의 연면 거리를 확보하여 오염 등급 2 환경에서 1200V의 AC 피크 전압을 지원할 수 있습니다. 이는 고전압 애플리케이션에서 안전한 절연 설계와 높은 신뢰성에 기여합니다. 또한 이 제품은 낮은 ON 저항과 고속 스위칭을 달성하여 전력 변환 회로의 효율을 높이고 전력 소비를 줄이는 데 기여합니다. xEV용 온보드 충전기 및 전기 컴프레서뿐만 아니라 PV 인버터 및 서버 전원 공급 장치에 이상적입니다.

Product Detail

 
형명 | SCT4036DTWHRTCR
상태 | 추천품
패키지 | TSC3PAK
포장 사양 | Taping
포장 수량 | 600
최소 포장 단위 | 600
RoHS | Yes

사양 :

Drain-source Voltage[V]

750

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

36

Generation

4th Gen (Trench)

Drain Current[A]

40

Total Power Dissipation[W]

128

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

14.0x18.58 (t=3.625)

Common Standard

AEC-Q100 (Automotive Grade)

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특징 :

  • AEC-Q101 준거
  • 넓은 연면 거리 = 최소 6.66mm
  • 낮은 ON 저항
  • 빠른 스위칭 속도
  • 빠른 역회복
  • 병렬 연결 용이
  • 간편한 구동
  • Pb-free 리드 도금; RoHS 준수
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