SCT2H12NZ
SiC MOSFET

SCT2H12NZ는 1700V 3.7A의 Nch SiC 파워 MOSFET입니다.

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* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
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Product Detail

 
형명 | SCT2H12NZGC11
상태 | 추천품
패키지 | TO-3PFM
포장 수량 | 450
최소 포장 단위 | 30
포장 사양 | Tube
RoHS | Yes

사양 :

Drain-source Voltage[V]

1700

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

1150.0

Drain Current[A]

3.7

Total Power Dissipation[W]

35

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

16x21 (t=5.2)

특징 :

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Long creepage distance
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant

Supporting Information

 

제품 개요

TO-263AB, TO-220ACP 패키지 이미지

Si의 한계를 뛰어넘은 디바이스로서 주목받고 있는 SiC 디바이스. 고성능화를 위한 재료로서 큰 기대를 모으고 있습니다.
고전압 · 대전력의 산업기기 아이템에 탑재되는 보조 전원 유닛은 기존에는 1000V 내압에 대응하는 Si-MOSFET가 사용됩니다. 이를 고효율 SiC-MOSFET로 대체하여 사용할 경우, 발열 저감을 통한 히트싱크 등 부품 삭감을 기대할 수 있습니다.
로옴은 이번에 새롭게 1700V 클래스 제품을 개발하였으며, SiC-MOSFET를 용이하게 평가할 수 있도록 평가용 기판도 구비하고 있습니다.

평가 기판

로옴은 종합 반도체 메이커로서 SiC 디바이스와 조합하여 사용 가능한 IC를 다양하게 구비하고 있습니다. 이번 신제품 「SCT2H12NZ」와 SiC-MOSFET 구동에 최적인 AC/DC 컨버터 제어 IC 「BD7682FJ-LB」, 이 두 제품을 실장한 평가 보드 「BD7682FJ-LB-EVK-402」의 인터넷 판매를 개시하였습니다.

샘플, 보드를 1개부터 구입 가능
평가용 전원 기판 (BD7682FJ-LB-EVK-402)

특징 1 : 산업기기의 보조 전원에 최적

산업기기의 보조 전원에 사용되는 1500V 내압의 Si-MOSFET와 비교 시, 1700V 내압과 동시에 1/8의 ON 저항 1.15Ω을 실현하였습니다.
또한, 패키지로 TO-3PFM을 채용함으로써 산업기기에 요구되는 연면 거리 (절연물의 표면을 따라 계측한 거리)를 확보하였습니다.

ON 저항 비교 신제품 어플리케이션 이미지

특징 2 : 전용 IC와 함께 사용하여 극적인 고효율화 달성

AC/DC 컨버터에서의 Si vs SiC 효율 비교

SiC-MOSFET의 성능을 최대화시키는 로옴의 SiC-MOSFET 구동용 AC/DC 컨버터 제어 IC 「BD7682FJ-LB」와 함께 사용할 경우, 최대 6%의 고효율화를 실현할 수 있습니다 (로옴 조사).
동시에 발열도 저감할 수 있어, 방열 부품의 소형화가 가능합니다.

라인업

품명 패키지 극성 VDSS ID PD
(Tc=25℃)
RDS(ON)
VGS=18V
Qg
VGS=18V
NEW SCT2H12NZ

TO-3PFMTO-3PFM

Nch 1700V 3.7A 35W 1.15Ω
(Typ.)
14nC
(Typ.)
☆SCT2H12NY

TO-3PFMTO-268-2L
(개발중)

4A 44W
☆SCT2750NY 5.9A 57W 0.75Ω
(Typ.)
17nC
(Typ.)

☆ : 개발중

Evaluation
Board

 
    • Evaluation Board
    • BD7682FJ-LB-EVK-302
    • BD7682FJ is an AC/DC quasi-resonant flyback controller IC from ROHM Semiconductor and offers an Auxiliary Power Supply Solution if combined with the 1700 V SiC MOSFET (SCT2H12NZ). The BD7682FJ and SCT2H12NZ combined together have been used to develop an isolated 100 W 24 V output auxiliary power solution with a very accurate voltage regulation.

  • User's Guide Buy
    • Evaluation Board
    • BD7682FJ-LB-EVK-402
    • BD7682FJ-LB-EVK-402 evaluation board outputs 24 V voltage from the input of 300 Vdc to 900 Vdc. The output current supplies up to 1 A. The BD768xFJ-LB series are Quasi-Resonant switching AC/DC converter for driving SiC (Silicon Carbide) MOSFET. Using external switching MOSFET and current detection resistors provides a lot of flexibility in the design.

  • User's Guide Buy

Design Resources

 

Tools

Simulations (Login Required)

「ROHM Solution Simulator」는 로옴 공식 Web 사이트 상에서 동작하는 전자 회로 시뮬레이션 툴입니다. 부품 선정 및 디바이스 단품 검증 등의 개발 초기 단계부터 시스템 레벨의 검증 단계까지 폭넓게 Web 상에서 시뮬레이션할 수 있습니다. 로옴이 제공하는 SiC 디바이스 등의 파워 디바이스 제품과 구동 IC · 전원 IC 등의 IC 제품을, 실제 환경에 가까운 솔루션 회로에서 빠르고 간단하게 일괄 검증할 수 있으므로, 어플리케이션 개발의 대폭적인 공수 (공정 및 시간) 삭감에 기여합니다.
  • A-001. Boost PFC VIN=200V, IIN=2.5A BCM
  • A-002. Boost PFC VIN=200V, IIN=2.5A CCM
  • A-003. Boost PFC VIN=200V, IIN=2.5A CCM Synchronous FETs
  • A-004. Boost PFC VIN=200V, IIN=2.5A DCM
  • A-005. Boost PFC VIN=200V, IIN=2.5A DCM Synchronous FETs
  • A-006. Interleaved PFC VIN=200V, IIN=2.5A CCM
  • A-008. Interleaved PFC VIN=200V, IIN=2.5A DCM
  • A-012. Diode-Bridgeless PFC VIN=200V, IIN=2.5A BCM
  • C006. DC-DC Converter, Buck Converter Vo=250V Io=20A
  • C007. DC-DC Converter, Buck Converter 2-Phase Vo=250V Io=40A
  • C010. DC-DC Converter, Flyback Converter VIN=800V Vo=25V Io=10A
  • C011. DC-DC Converter, Forward Converter VIN=500V Vo=25V Io=10A
  • C012. DC-DC Converter, LLC Buck Converter Vo=12V Io=250A
  • C013. DC-DC Converter, Phase-Shift Buck Converter Vo=12V Io=250A
  • C014. DC-DC Converter, Quasi-Resonant Converter VIN=800V Vo=25 Io=10A

Models

Characteristics Data