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SiC MOSFET - SCT2H12NZ

SCT2H12NZ는 1700V 3.7A의 Nch SiC 파워 MOSFET입니다.

SiC FundamentalsSiC Power Device Application Note

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명 | SCT2H12NZGC11
상태 | 공급중
패키지 | TO-3PFM
포장 수량 | 450
최소 포장 단위 | 30
포장 사양 | Tube
RoHS | Yes

사양 :

Drain-source Voltage[V]

1700

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

1150

Drain Current[A]

3.7

Total Power Dissipation[W]

35

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

특징 :

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Long creepage distance
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant