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SiC MOSFET - SCT2H12NZ (New)

SCT2H12NZ는 1700V 3.7A의 Nch SiC 파워 MOSFET입니다.

SiC FundamentalsSiC Power Device Application Note

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
SCT2H12NZGC11 공급중 TO-3PFM 450 30 Tube Yes
 
사양 :
Drain-source Voltage[V] 1700
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ] 1150
Drain Current[A] 3.7
Total Power Dissipation[W] 35
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 175
특징 :
    • Low on-resistance
    • Fast switching speed
    • Long creepage distance
    • Simple to drive
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant
 
 
New Products:
 
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기술 정보
Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog

Part Explanation

For SiC MOSFET