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N-channel Silicon Carbide Power MOSFET - SCT2750NY

1700V 6A N-channel SiC (Silicon Carbide) power MOSFET.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명 | SCT2750NYTB
상태 | 공급중
패키지 | TO-268-2L
포장 수량 | 800
최소 포장 단위 | 800
포장 사양 | Taping
RoHS | Yes

사양 :

Drain-source Voltage[V]

1700

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

750

Drain Current[A]

6.0

Total Power Dissipation[W]

57

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

특징 :

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Long creepage distance with no center lead
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant