로옴 SiC 제품의 평가 보드를 다양하게 구비하고 있습니다.

SiC MOSFET / IGBT 디스크리트 평가 보드

로옴의 SiC-MOSFET 및 IGBT 등 디스크리트 제품 (TO-247 패키지)의 평가 보드입니다. 로옴의 전원 내장 게이트 드라이버 IC를 탑재하여, 파워 디바이스 평가가 용이합니다.

P01SCT2080KE-EVK-001

P01SCT2080KE-EVK-001

  • 로옴 SCT2080KE (1200V 80mΩ) 평가용 회로 설정 변경을 통해, 로옴의 다른 SiC MOSFET 제품 평가 가능
  • 1200V, 5A, 100kHz에서 MOSFET, IGBT 평가 가능
  • 1계통의 DC12V에서 High-side / Low-side의 플러스 / 마이너스 바이어스 전압 생성
  • 더블 펄스 테스트용 게이트 신호를 내부 생성
  • 외부 공급 신호를 통해 DC/DC 컨버터 평가 가능
  • 플라이 휠은 MOS 보디 다이오드, 외장 다이오드, 역도통 중 선택 가능
  • ※내장 인덕터의 경우
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1700V SiC-MOSFET + AC/DC 컨버터

대전력을 취급하는 산업기기용으로 최적인 1700V 고내압 SiC-MOSFET와 SiC 구동용 AC/DC 컨버터 IC를 탑재하고 있습니다.

BD7682FJ-LB-EVK-402

BD7682FJ-LB-EVK-402

  • SiC-MOSFET 구동, AC/DC 평가 보드 (플라이백 컨버터)
  • 1700V SiC-MOSFET SCT2H12NZ 탑재
  • AC/DC 컨버터 제어 IC BD7682FJ-LB 탑재
  • 3상 AC400~690V 입력 24V / 1A 출력
Application Note
[PDF 형식 : 1.28MB]

Full SiC 모듈 구동 평가용 보드

로옴의 Full SiC 모듈의 구동 평가용으로 최적인 평가 보드입니다. C 타입, E 타입 패키지 제품을 각각 직접 실장할 수 있는 형상의 평가 보드입니다.

BW9499H-EVK-xxx

BW9499H-EVK-xxx((xxx는 부하인 SiC 모듈 제품에 따라 달라집니다.))

  • 로옴의 C 타입 패키지 제품용
  • 로옴의 절연소자 내장 게이트 드라이버 BM6101FV-C 채용
  • Full SiC 모듈 제품에 최적인 게이트 드라이브 회로
  • 액티브 미러 클램프 MOSFET 탑재
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BP59A8H-EVK-xxx

BP59A8H-EVK-xxx(xxx는 부하인 SiC 모듈 제품에 따라 달라집니다.)

  • 로옴의 E 타입 패키지 제품용
  • 로옴의 절연소자 내장 게이트 드라이버 BM6101FV-C 채용
  • Full SiC 모듈 제품에 최적인 게이트 드라이브 회로
  • 액티브 미러 클램프 MOSFET 탑재
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플라이백 전원 내장 2ch 게이트 드라이버 레퍼런스 보드

로옴의 2ch 타입 300A / 1200V 클래스 Full SiC 파워 모듈 BSM300D12P2E001에 직접 실장 가능한 형상의 평가 보드입니다. 게이트 전압용 절연 타입 DC/DC 컨버터를 내장하고 있습니다.

BM60052FV-EVK-001

BM60052FV-EVK-001

  • 300A / 1200V SiC 파워 모듈 BSM300D12P2E001 직접 구동 가능
  • SiC-FET의 단락 검출, 소프트 턴 오프, FLT 출력, UVLO, 게이트 감시 출력, 미러 클램프
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SiC 모듈 평가용 스너버 모듈

스위칭 off 시의 서지 전압 억제에 유효한 평가용 스너버 모듈입니다. 로옴의 SiC 모듈에 직접 실장 가능합니다.

EVSM1D72J2-145MH26

EVSM1D72J2-145MH26

  • 로옴의 C 타입 패키지 제품용
  • 630VDC, 270nF 세라믹 콘덴서 2직렬 5병렬
  • 서지 전압 억제에 효과 발휘
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EVSM1D72J2-145MH16

EVSM1D72J2-145MH16

  • 로옴의 E 타입 패키지 제품용
  • 630VDC, 270nF 세라믹 콘덴서 2직렬 5병렬
  • 서지 전압 억제에 효과 발
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