ROHM Product Detail

SCT2H12NZ
SiC MOSFET

Auxiliary power supplies used in high voltage, high power industrial equipment typically utilize high voltage (>1000V) silicon MOSFETs. But by replacing these with high efficiency SiC MOSFETs heat generation can be significantly reduced, eliminating the need for external parts such as heat sinks. ROHM has recently expanded its considerable lineup by offering 1700V class SiC MOSFETs along with an evaluation board that facilitates performance verification and application development.
We offer an evaluation board (BD7682FJ-LB-EVK-402) equipped with the DC-DC converter control IC "BD7682FJ-LB," which maximizes the performance of SiC power MOSFETs.

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* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.

Product Detail

 
형명 | SCT2H12NZGC11
상태 | 추천품
패키지 | TO-3PFM
포장 사양 | Tube
포장 수량 | 450
최소 포장 단위 | 30
RoHS | Yes

사양 :

Drain-source Voltage[V]

1700

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

1150

Generation

2nd Gen (Planar)

Drain Current[A]

3.7

Total Power Dissipation[W]

35

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

21.0x16.0 (t=5.2)

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특징 :

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Long creepage distance
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant

Supporting Information

 

제품 개요

TO-263AB, TO-220ACP 패키지 이미지

Si의 한계를 뛰어넘은 디바이스로서 주목받고 있는 SiC 디바이스. 고성능화를 위한 재료로서 큰 기대를 모으고 있습니다.
고전압 · 대전력의 산업기기 아이템에 탑재되는 보조 전원 유닛은 기존에는 1000V 내압에 대응하는 Si-MOSFET가 사용됩니다. 이를 고효율 SiC-MOSFET로 대체하여 사용할 경우, 발열 저감을 통한 히트싱크 등 부품 삭감을 기대할 수 있습니다.
로옴은 이번에 새롭게 1700V 클래스 제품을 개발하였으며, SiC-MOSFET를 용이하게 평가할 수 있도록 평가용 기판도 구비하고 있습니다.

평가 기판

로옴은 종합 반도체 메이커로서 SiC 디바이스와 조합하여 사용 가능한 IC를 다양하게 구비하고 있습니다. 이번 신제품 「SCT2H12NZ」와 SiC-MOSFET 구동에 최적인 AC/DC 컨버터 제어 IC 「BD7682FJ-LB」, 이 두 제품을 실장한 평가 보드 「BD7682FJ-LB-EVK-402」의 인터넷 판매를 개시하였습니다.

샘플, 보드를 1개부터 구입 가능
평가용 전원 기판 (BD7682FJ-LB-EVK-402)

특징 1 : 산업기기의 보조 전원에 최적

산업기기의 보조 전원에 사용되는 1500V 내압의 Si-MOSFET와 비교 시, 1700V 내압과 동시에 1/8의 ON 저항 1.15Ω을 실현하였습니다.
또한, 패키지로 TO-3PFM을 채용함으로써 산업기기에 요구되는 연면 거리 (절연물의 표면을 따라 계측한 거리)를 확보하였습니다.

ON 저항 비교 신제품 어플리케이션 이미지

특징 2 : 전용 IC와 함께 사용하여 극적인 고효율화 달성

AC/DC 컨버터에서의 Si vs SiC 효율 비교

SiC-MOSFET의 성능을 최대화시키는 로옴의 SiC-MOSFET 구동용 AC/DC 컨버터 제어 IC 「BD7682FJ-LB」와 함께 사용할 경우, 최대 6%의 고효율화를 실현할 수 있습니다 (로옴 조사).
동시에 발열도 저감할 수 있어, 방열 부품의 소형화가 가능합니다.

라인업

품명패키지극성VDSSIDPD
(Tc=25℃)
RDS(ON)
VGS=18V
Qg
VGS=18V
NEW SCT2H12NZ

TO-3PFMTO-3PFM

Nch1700V3.7A35W1.15Ω
(Typ.)
14nC
(Typ.)
SCT2H12NY

TO-3PFMTO-268-2L
(개발중)

4A44W
SCT2750NY5.9A57W0.75Ω
(Typ.)
17nC
(Typ.)

☆ : 개발중

레퍼런스 디자인 / 어플리케이션 평가 Kit

 
    • Evaluation Board - BD7682FJ-LB-EVK-302
    • The BD7682FJ is an AC/DC quasi-resonant flyback controller IC from ROHM Semiconductor and offers an Auxiliary Power Supply Solution if combined with the 1700 V SiC MOSFET (SCT2H12NZ). The BD7682FJ and SCT2H12NZ combined together have been used to develop an isolated 100 W 24 V output auxiliary power solution with a very accurate voltage regulation.

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