SCT4013DR
750V, 13mΩ, 4-pin THD, Trench-structure, SiC-MOSFET

SCT4013DR은 어플리케이션의 소형화 및 저소비전력화에 기여하는 SiC MOSFET입니다. 패키지로는, SiC MOSFET의 특징인 고속 스위칭 성능을 최대화할 수 있는 드라이버 소스 단자를 탑재한 패키지를 채용하였습니다.

로옴의 제4세대 SiC MOSFET
SCT4 시리즈는 단락 내량 시간을 손상시키지 않고, 업계 최고 수준의 저 ON 저항을 실현한 제4세대 제품입니다. 본 시리즈는 기존품 대비 ON 저항을 약 40%, 스위칭 손실을 약 50% 저감하였습니다. 또한, 게이트 - 소스 전압은 취급이 쉬운 15V에도 대응하여, 어플리케이션 설계의 편의성이 향상됩니다.

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* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
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Product Detail

 
형명 | SCT4013DRC15
상태 | 추천품
패키지 | TO-247-4L
포장 수량 | 450
최소 포장 단위 | 30
포장 사양 | Taping
RoHS | Yes
장기 공급 프로그램 | 10 Years

사양 :

Drain-source Voltage[V]

750

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

13

Generation

4th Gen (Trench)

Drain Current[A]

105

Total Power Dissipation[W]

312

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

16x23.45 (t=5.2)

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특징 :

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant

Reference Design / Application Evaluation Kit

 
    • Evaluation Board - P05SCT4018KR-EVK-001

      • This board is designed with the optimum gate drive circuit for "SCT4018KR", surely TO-247-4L can also be evaluated
      • Single power supply(+12V operation)
      • Supports double pulse testing up to 150A and switching up to 500kHz
      • Supports various power supply topologies(Buck, Boost, Half-Bridge)
      • Built-in adjustable gate drive isolated power supply(positive and negative)(+12V to +25V, -4.5V to -2V)
      • Active mirror clamp circuit(driver IC built-in type)
      • Gate surge clamp circuit

    • User Guide
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