SCT4013DE
750V, 105A, 3단자 THD, 트렌치 구조, SiC MOSFET
SCT4013DE
750V, 105A, 3단자 THD, 트렌치 구조, SiC MOSFET
SCT4013DE는 어플리케이션의 소형화 및 저소비전력화에 기여하는 SiC MOSFET입니다.
로옴의 제4세대 SiC MOSFET
SCT4 시리즈는 단락 내량 시간을 개선하여, 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항을 실현한 제4세대 제품입니다. 본 시리즈는 기존품 대비 ON 저항을 약 40%, 스위칭 손실을 약 50% 저감하였습니다. 또한, 게이트 - 소스 전압은 취급이 쉬운 15V에도 대응하여, 어플리케이션의 설계 용이성이 향상되었습니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
13
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
105
Total Power Dissipation[W]
312
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
16x21 (t=5.2)
특징 :
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
레퍼런스 디자인 / 어플리케이션 평가 Kit
-
- Evaluation Board - P04SCT4018KE-EVK-001
- This board is designed with the optimum gate drive circuit for "SCT4018KE", surely TO-247N can also be evaluated
- Single power supply(+12V operation)
- Supports double pulse testing up to 150A and switching up to 500kHz
- Supports various power supply topologies(Buck, Boost, Half-Bridge)
- Built-in adjustable gate drive isolated power supply(positive and negative)(+12V to +25V, -4.5V to -2V)
- Active mirror clamp circuit(driver IC built-in type)
- Gate surge clamp circuit
