SCT4036KW7
1200V, 40A, 7단자 SMD, 트렌치 구조, SiC MOSFET

SCT4036KW7은 1200V, 40A의 Nch SiC 파워 MOSFET입니다. 트렌치 구조를 통해 ON 저항을 저감하였습니다.

로옴의 제4세대 SiC MOSFET
SCT4 시리즈는 단락 내량 시간을 개선하여, 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항을 실현한 제4세대 제품입니다. 본 시리즈는 기존품 대비 ON 저항을 약 40%, 스위칭 손실을 약 50% 저감하였습니다. 또한, 게이트 - 소스 전압은 취급이 쉬운 15V에도 대응하여, 어플리케이션의 설계 용이성이 향상되었습니다.

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* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
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Product Detail

 
형명 | SCT4036KW7TL
상태 | 추천품
패키지 | TO-263-7L
포장 수량 | 1000
최소 포장 단위 | 1000
포장 사양 | Taping
RoHS | Yes

사양 :

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

36

Generation

4th Gen (Trench)

Drain Current[A]

40

Total Power Dissipation[W]

150

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

10.2x15.4 (t=4.7)

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특징 :

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant

Reference Design / Application Evaluation Kit

 
    • Evaluation Board - HB2637L-EVK-301

    • The evaluation board is configured in a half bridge set up and thus allows evaluations in different operations modes such as buck, boost, synchronous buck/boost and inverter operations. The board is equipped with two SiC MOSFETs(SCT4036KW7), isolated gate driver BM61S41RFV-C, isolated power supply required for the gate driver, LDO for 5V supply and easy to interface connectors for PWM signals.

    • User Guide
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