SiC MOSFET

SiC MOSFET

SiC MOSFET는 스위칭 시의 tail 전류가 원리적으로 발생하지 않아, 동작이 고속이고 스위칭 손실이 낮은 디바이스입니다. 저 ON 저항과 소형 칩 사이즈로, 게이트 전하 용량을 저감하였습니다. 또한, SiC는 고온 환경에서도 ON 저항의 증가율이 작다는 우수한 재료 특성을 구비하여, 실리콘 (Si) 디바이스보다 저전력이며 스페이스 절약이 가능하다는 점에서 우수합니다.

제4세대 SiC MOSFET

로옴이 양산을 시작한 제4세대 SiC MOSFET는, 단락 내량 시간을 개선하여, 업계 최고 수준의 저 ON 저항을 실현한 디바이스입니다. 현재 베어 칩과 디스크리트 패키지로 제품을 전개하고 있습니다.

디스크리트 패키지 라인업

SiC MOSFET가 지닌 고속 스위칭 특성을 최대한으로 발휘시킬 수 있는 드라이버 소스 단자를 구비한 TO-263-7L (7pin SMD)TO-247-4L (4pin THD)을 제공하고 있습니다. 또한, 면실장 타입의 패키지를 사용함으로써, 실장 공정의 자동화를 실현할 수 있어, 생산성 향상에도 기여합니다.

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      Supporting Information

       

      제4세대 SiC MOSFET

      로옴이 2020년에 개발을 완료한 제4세대 SiC MOSFET는 단락 내량 시간을 개선하여, 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항을 실현한 디바이스로, 현재 베어 칩과 디스크리트 패키지로 제품을 전개하고 있습니다. 차량용 인버터 및 각종 스위칭 전원을 비롯하여 다양한 어플리케이션의 극적인 소형화 및 저소비전력화에 기여합니다.

      특징

      1. 단락 내량 시간을 개선하여, 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항 실현

      제4세대 SiC MOSFET는 로옴의 독자적인 더블 트렌치 구조를 한층 더 진화시킴으로써, 트랙션 인버터 등에서 요구되는 단락 내량 시간을 개선하여, ON 저항을 기존품 대비 약 40% 저감하는데 성공하였습니다. SiC MOSFET로는 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항을 실현하였습니다. (2022년 2월 로옴 조사)

      2.기생 용량을 대폭 삭감함으로써, 낮은 스위칭 손실 실현

      게이트 - 드레인 용량 (Cgd)을 대폭 삭감함으로써, 기존품 대비 스위칭 손실을 약 50% 저감하는데 성공하였습니다.

      3.게이트 – 소스 구동 전압 15V 대응으로, 어플리케이션의 설계 편의성 향상

      MOSFET는 디바이스 ON 시에 트랜지스터의 게이트에 일정량의 전압을 인가해야 합니다. 제4세대 SiC MOSFET는, 제3세대 SiC MOSFET의 게이트 - 소스 전압 (Vgs) 18V와 더불어, 한층 더 사용이 편리한 15V에도 대응하여, 어플리케이션의 설계 편의성을 향상킵니다.

      On-resistance comparison
      Switching loss comparison

      어플리케이션 예 : 트랙션 인버터

      어플리케이션 예 : 트랙션 인버터 차량용 트랙션 인버터 탑재 시에는, IGBT에 비해 인버터의 높은 토크 (torque) · 낮은 회전수 영역을 중심으로 효율을 대폭 개선함으로써, 6%의 전비 개선 (국제 규격 「WLTC 연비 시험」 산출 시)이 가능합니다. 따라서, 전기자동차의 주행 거리 연장 및 배터리의 소형화에 크게 기여할 수 있습니다.

      어플리케이션 예 : 트랙션 인버터

       

      제4세대 SiC MOSFET 서포트 컨텐츠

      평가 보드

      Evaluation board
      4th Generation SiC MOSFET Half Bridge Evaluation Board
      P04SCT4018KE-EVK-001/P05SCT4018KR-EVK-001

      P04SCT4018KE-EVK-001/P05SCT4018KR-EVK-001은 TO-247N/TO-247-4L 패키지의 제4세대 SiC MOSFET를 평가할 수 있는 평가 보드입니다. 게이트 드라이버 및 주변 회로를 탑재하여, 설계 및 평가 공수를 삭감할 수 있습니다.

      Evaluation board
      P05SCT4018KR-EVK-001 Double Pulse Test (ROHM Solution Simulator)

      평가 기판을 모델화하여, 제4세대 SiC MOSFET의 더블 펄스 테스트 환경을 온라인 시뮬레이터로 구비하였습니다. 동작전압 · 게이트 구동 회로 · 스너버 회로 정수 등에 따른 스위칭 파형을 시뮬레이션으로 평가할 수 있어, 실제 기기 평가 시의 공수 삭감 및 기생 다이오드의 영향 평가 등에서 활용할 수 있습니다. *이용 시에는 MyROHM 등록이 필요합니다.

      Documents

      White Paper

      Application Note

      디자인 모델

      Simulations (Login Required)

      TO-247N (3pin)

      TO-247-4L (4pin)

       

      SiC MOSFET 서포트 컨텐츠

      평가 보드

      CategorySiC ProductImagePart No.User Guide보드 구입
      SiC-MOS Evaluation
      Board
      SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-NNEW
      P04SCT4018KE-EVK-001
      유저 가이드
      제품 사양서
      문의
      SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-4LNEW
      P05SCT4018KR-EVK-001
      문의
      SCT3XXX series Trench(3rd Generation) TO-247-4LP02SCT3040KR-EVK-001 유저 가이드
      제품 사양서
      온라인
      구입

      Documents

      White Paper

      Application Note

      Technical Articles

      Schematic Design & Verification

      Thermal Design

      Models & Tools

      Simulations (Login Required)

      「ROHM Solution Simulator」는 로옴 공식 Web 사이트 상에서 동작하는 전자 회로 시뮬레이션 툴입니다. 부품 선정 및 디바이스 단품 검증 등의 개발 초기 단계부터 시스템 레벨의 검증 단계까지 폭넓게 Web 상에서 시뮬레이션할 수 있습니다. 로옴이 제공하는 SiC 디바이스 등의 파워 디바이스 제품과 구동 IC · 전원 IC 등의 IC 제품을, 실제 환경에 가까운 솔루션 회로에서 빠르고 간단하게 일괄 검증할 수 있으므로, 어플리케이션 개발의 대폭적인 공수 (공정 및 시간) 삭감에 기여합니다.

      TO-247N (3pin)

      TO-247-4L (4pin)

      Application

      Topology

      Related Product