제4세대 SiC MOSFET

로옴이 2020년에 개발을 완료한 제4세대 SiC MOSFET는 단락 내량 시간을 개선하여, 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항을 실현한 디바이스로, 현재 베어 칩과 디스크리트 패키지로 제품을 전개하고 있습니다. 차량용 인버터 및 각종 스위칭 전원을 비롯하여 다양한 어플리케이션의 극적인 소형화 및 저소비전력화에 기여합니다.

특징

1. 단락 내량 시간을 개선하여, 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항 실현

제4세대 SiC MOSFET는 로옴의 독자적인 더블 트렌치 구조를 한층 더 진화시킴으로써, 트랙션 인버터 등에서 요구되는 단락 내량 시간을 개선하여, ON 저항을 기존품 대비 약 40% 저감하는데 성공하였습니다. SiC MOSFET로는 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항을 실현하였습니다. (2022년 2월 로옴 조사)

2.기생 용량을 대폭 삭감함으로써, 낮은 스위칭 손실 실현

게이트 - 드레인 용량 (Cgd)을 대폭 삭감함으로써, 기존품 대비 스위칭 손실을 약 50% 저감하는데 성공하였습니다.

3.게이트 – 소스 구동 전압 15V 대응으로, 어플리케이션의 설계 편의성 향상

MOSFET는 디바이스 ON 시에 트랜지스터의 게이트에 일정량의 전압을 인가해야 합니다. 제4세대 SiC MOSFET는, 제3세대 SiC MOSFET의 게이트 - 소스 전압 (Vgs) 18V와 더불어, 한층 더 사용이 편리한 15V에도 대응하여, 어플리케이션의 설계 편의성을 향상킵니다.

On-resistance comparison
Switching loss comparison

어플리케이션 예 : 트랙션 인버터

어플리케이션 예 : 트랙션 인버터 차량용 트랙션 인버터 탑재 시에는, IGBT에 비해 인버터의 높은 토크 (torque) · 낮은 회전수 영역을 중심으로 효율을 대폭 개선함으로써, 6%의 전비 개선 (국제 규격 「WLTC 연비 시험」 산출 시)이 가능합니다. 따라서, 전기자동차의 주행 거리 연장 및 배터리의 소형화에 크게 기여할 수 있습니다.

어플리케이션 예 : 트랙션 인버터

 

제4세대 SiC MOSFET 서포트 컨텐츠

평가 보드

Evaluation board
4th Generation SiC MOSFET Half Bridge Evaluation Board
P04SCT4018KE-EVK-001/P05SCT4018KR-EVK-001

P04SCT4018KE-EVK-001 / P05SCT4018KR-EVK-001은, TO-247N / TO-247-4L 패키지의 제4세대 SiC MOSFET를 평가할 수 있는 평가 보드입니다. 탑재하는 SiC MOSFET는 원하는 ON 저항치의 디바이스를 선택 후 구입하여 평가합니다. 게이트 드라이버 및 주변 회로를 탑재하여 설계, 평가를 위한 공수를 삭감할 수 있습니다. 

Evaluation board
Evaluation Board HB2637L-EVK-301

The evaluation board is configured in a half bridge set up and thus allows evaluations in different operations modes such as buck, boost, synchronous buck/boost and inverter operations. The board is equipped with two SiC MOSFETs(SCT4036KW7), isolated gate driver BM61S41RFV-C, isolated power supply required for the gate driver, LDO for 5V supply and easy to interface connectors for PWM signals.

Evaluation board
EVK Simulatrion (ROHM Solution Simulator)
・P05CT4018KR-EVK-001 Double Pulse Test
・P04SCT4018KE-EVK-001 Double Pulse Test
・HB2637L-EVK-301 Double Pulse Test

평가 기판을 모델화하여, 제4세대 SiC MOSFET의 더블 펄스 테스트 환경을 온라인 시뮬레이터로 구비하였습니다. 동작전압 · 게이트 구동 회로 · 스너버 회로 정수 등에 따른 스위칭 파형을 시뮬레이션으로 평가할 수 있어, 실제 기기 평가 시의 공수 삭감 및 기생 다이오드의 영향 평가 등에서 활용할 수 있습니다. *이용 시에는 MyROHM 등록이 필요합니다.

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디자인 모델

Simulations (Login Required)

TO-247N (3pin)

TO-247-4L (4pin)

 

SiC MOSFET 서포트 컨텐츠

평가 보드

Category SiC Product Image Part No. User Guide 보드 구입
SiC-MOS  Evaluation
Board
SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-N NEW
P04SCT4018KE-EVK-001
유저 가이드
제품 사양서
온라인
구입
SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-4L NEW
P05SCT4018KR-EVK-001
온라인
구입
SCT3XXX series Trench(3rd Generation) TO-247-4L P02SCT3040KR-EVK-001  유저 가이드
제품 사양서
온라인
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Schematic Design & Verification

Thermal Design

Models & Tools

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「ROHM Solution Simulator」는 로옴 공식 Web 사이트 상에서 동작하는 전자 회로 시뮬레이션 툴입니다. 부품 선정 및 디바이스 단품 검증 등의 개발 초기 단계부터 시스템 레벨의 검증 단계까지 폭넓게 Web 상에서 시뮬레이션할 수 있습니다. 로옴이 제공하는 SiC 디바이스 등의 파워 디바이스 제품과 구동 IC · 전원 IC 등의 IC 제품을, 실제 환경에 가까운 솔루션 회로에서 빠르고 간단하게 일괄 검증할 수 있으므로, 어플리케이션 개발의 대폭적인 공수 (공정 및 시간) 삭감에 기여합니다.

TO-247N (3pin)

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