로옴의 SiC SBD, 무라타 제작소 그룹 Murata Power Solutions의 데이터 센터용 전원 유닛에 채용
2023년 2월 27일
로옴 주식회사의 제3세대 SiC 쇼트키 배리어 다이오드 (이하, SBD)가, 일본을 대표하는 전자부품, 배터리, 전원 메이커인 무라타 제작소 그룹의 Murata Power Solutions에 채용되었습니다. 고속 스위칭을 실현하는 로옴의 SiC SBD 「SCS308AH」는 Murata Power Solutions의 데이터 센터용 전원 유닛 「D1U 시리즈」에 탑재되어, 어플리케이션의 성능 향상과 소형화에 기여합니다.
최근 AI (인공지능) 및 AR (증강현실) 등, IoT 분야의 진화에 따라 전 세계적으로 데이터 통신량이 증대하고 있습니다. 특히, 통신을 관리하는 데이터 센터에서는 서버의 소형화 및 고효율화가 과제로 중요시되어, 전원부의 소형 및 고효율화에 기여하는 SiC 파워 디바이스가 크게 주목받고 있습니다.
Dr. Longcheng Tan, Senior Electrical Engineer and project leader, Murata Power Solutions.
SiC 파워 디바이스를 탑재함으로써, 한층 더 고효율의 전력 밀도가 높은 전원을 개발할 수 있습니다. 또한, SiC 파워 디바이스는 스위칭 주파수를 높일 수 있어, 수동부품 및 히트싱크의 체적을 줄일 수 있습니다. 무라타 제작소 그룹에는 SiC 디바이스의 벤더 및 제품을 평가하기 위한 전문 부서도 있습니다. 당사가 로옴을 선택한 이유는, 고신뢰성 제품과 더불어 신속한 서포트 체제로 프로토타이핑 단계부터 샘플을 입수할 수 있었기 때문입니다. 그리고, 개발중인 3상 인버터에도 로옴의 SiC MOSFET를 탑재하여, 그 성능에도 만족하고 있기 때문입니다.
Jay Barrus, President, ROHM Semiconductor U.S.A.,LLC
전원 시스템을 비롯한 산업기기 분야에서 업계를 견인하는 Murata Power Solutions를 서포트할 수 있게 되어 매우 기쁘게 생각합니다. 로옴은 SiC 파워 디바이스의 리딩 컴퍼니로서, 업계를 리드하는 디바이스 기술과 구동 IC 등을 조합한 파워 솔루션의 제공 실적을 보유하고 있습니다. Murata Power Solutions와 함께 산업 및 데이터 인프라용 SiC 기술을 최대한으로 발휘시킴으로써, 전원 시스템의 에너지 효율을 한층 더 향상시켜 나가고자 합니다.
＜Murata Power Solutions＞
Murata Power Solutions는 DC-DC 전원, AC-DC 전원, 마그네틱, 디지털 패널 미터, 데이터 센터용 솔루션의 설계, 제조, 판매를 실시하고 있으며, 표준품, 세미 커스텀 제품, 커스텀 제품으로 라인업을 구비하고 있습니다. Murata Power Solutions의 제품은 통신, 컴퓨터, 산업용 제어기기, 헬스케어, 에너지 관리 시스템 등 전 세계 주요 시장 분야의 전자기기에 사용되고 있습니다. 자세한 사항은 Murata Power Solutions의 Web 사이트를 참조하여 주십시오. https://www.murata-ps.com/
＜Murata Power Solutions의 데이터 센터용 전원 유닛＞
Murata Power Solutions의 AC-DC 전원 「1U 프론트엔드」 시리즈는, 고효율의 역률 개선형 프론트엔드 전원 유닛 「D1U54P-W-2000-12-HB3C」 및 「D1U54P-W-1200-12-HC4PC」 등을 라인업으로 구비하여, 여러 개의 전원 유닛을 병렬로 동작시킬 수 있습니다. 또한, 「1U 프론트엔드」 시리즈는 핫플러그에 대응하여 고온, 과전류, 과전압 등의 검출과 보호가 가능합니다. 서버, 워크 스테이션, 스토리지 시스템, 기타 12V 전원 시스템에 고신뢰성과 고효율의 전력을 공급할 수 있을 뿐만 아니라, 박형의 1U 사이즈이므로 시스템 면적 삭감에도 기여합니다.
＜로옴의 SiC 파워 디바이스＞
로옴은 2010년 세계 최초로 SiC MOSFET의 양산을 개시한 이래, 업계를 리드하는 SiC 파워 디바이스의 기술 개발을 지속적으로 추진해 왔습니다. Murata Power Solutions에 채용된 최신 제3세대 SiC SBD는 총전하량 (QC)이 작아 저손실 및 고속 스위칭 동작이 가능합니다. 또한, 제2세대 SBD보다 우수한 서지 전류 내성을 실현함과 동시에 VF 특성을 한층 더 저감하였습니다.
＜서포트 정보＞
로옴은 하기 WEB 사이트에서 SiC MOSFET 및 SiC SBD, SiC 파워 모듈 등 SiC 파워 디바이스에 대한 개요를 소개함과 동시에, 제4세대 SiC MOSFET를 신속하게 평가하고 도입할 수 있도록 각종 서포트 컨텐츠를 공개하고 있습니다.
제4세대 SiC MOSFET의 서포트 컨텐츠 ・개요 소개 동영상, 제품 동영상 ・어플리케이션 노트 (제품 개요 및 평가 정보, 트랙션 인버터, 차량용 충전기, 스위칭 전원) ・디자인 모델 (SPICE 모델, PLECS 모델, 패키지 및 Footprint 등의 3D CAD 데이터) ・주요 어플리케이션의 시뮬레이션 회로 (ROHM Solution Simulator) ・평가 보드 정보
로옴의 SiC SBD, 무라타 제작소 그룹 Murata Power Solutions의 데이터 센터용 전원 유닛에 채용
2023년 2월 27일
로옴 주식회사의 제3세대 SiC 쇼트키 배리어 다이오드 (이하, SBD)가, 일본을 대표하는 전자부품, 배터리, 전원 메이커인 무라타 제작소 그룹의 Murata Power Solutions에 채용되었습니다. 고속 스위칭을 실현하는 로옴의 SiC SBD 「SCS308AH」는 Murata Power Solutions의 데이터 센터용 전원 유닛 「D1U 시리즈」에 탑재되어, 어플리케이션의 성능 향상과 소형화에 기여합니다.
최근 AI (인공지능) 및 AR (증강현실) 등, IoT 분야의 진화에 따라 전 세계적으로 데이터 통신량이 증대하고 있습니다.
특히, 통신을 관리하는 데이터 센터에서는 서버의 소형화 및 고효율화가 과제로 중요시되어, 전원부의 소형 및 고효율화에 기여하는 SiC 파워 디바이스가 크게 주목받고 있습니다.
Dr. Longcheng Tan, Senior Electrical Engineer and project leader, Murata Power Solutions.
SiC 파워 디바이스를 탑재함으로써, 한층 더 고효율의 전력 밀도가 높은 전원을 개발할 수 있습니다. 또한, SiC 파워 디바이스는 스위칭 주파수를 높일 수 있어, 수동부품 및 히트싱크의 체적을 줄일 수 있습니다. 무라타 제작소 그룹에는 SiC 디바이스의 벤더 및 제품을 평가하기 위한 전문 부서도 있습니다. 당사가 로옴을 선택한 이유는, 고신뢰성 제품과 더불어 신속한 서포트 체제로 프로토타이핑 단계부터 샘플을 입수할 수 있었기 때문입니다. 그리고, 개발중인 3상 인버터에도 로옴의 SiC MOSFET를 탑재하여, 그 성능에도 만족하고 있기 때문입니다.
Jay Barrus, President, ROHM Semiconductor U.S.A.,LLC
전원 시스템을 비롯한 산업기기 분야에서 업계를 견인하는 Murata Power Solutions를 서포트할 수 있게 되어 매우 기쁘게 생각합니다. 로옴은 SiC 파워 디바이스의 리딩 컴퍼니로서, 업계를 리드하는 디바이스 기술과 구동 IC 등을 조합한 파워 솔루션의 제공 실적을 보유하고 있습니다. Murata Power Solutions와 함께 산업 및 데이터 인프라용 SiC 기술을 최대한으로 발휘시킴으로써, 전원 시스템의 에너지 효율을 한층 더 향상시켜 나가고자 합니다.
＜Murata Power Solutions＞
Murata Power Solutions는 DC-DC 전원, AC-DC 전원, 마그네틱, 디지털 패널 미터, 데이터 센터용 솔루션의 설계, 제조, 판매를 실시하고 있으며, 표준품, 세미 커스텀 제품, 커스텀 제품으로 라인업을 구비하고 있습니다. Murata Power Solutions의 제품은 통신, 컴퓨터, 산업용 제어기기, 헬스케어, 에너지 관리 시스템 등 전 세계 주요 시장 분야의 전자기기에 사용되고 있습니다.
자세한 사항은 Murata Power Solutions의 Web 사이트를 참조하여 주십시오.
https://www.murata-ps.com/
＜Murata Power Solutions의 데이터 센터용 전원 유닛＞
Murata Power Solutions의 AC-DC 전원 「1U 프론트엔드」 시리즈는, 고효율의 역률 개선형 프론트엔드 전원 유닛 「D1U54P-W-2000-12-HB3C」 및 「D1U54P-W-1200-12-HC4PC」 등을 라인업으로 구비하여, 여러 개의 전원 유닛을 병렬로 동작시킬 수 있습니다. 또한, 「1U 프론트엔드」 시리즈는 핫플러그에 대응하여 고온, 과전류, 과전압 등의 검출과 보호가 가능합니다. 서버, 워크 스테이션, 스토리지 시스템, 기타 12V 전원 시스템에 고신뢰성과 고효율의 전력을 공급할 수 있을 뿐만 아니라, 박형의 1U 사이즈이므로 시스템 면적 삭감에도 기여합니다.
＜로옴의 SiC 파워 디바이스＞
로옴은 2010년 세계 최초로 SiC MOSFET의 양산을 개시한 이래, 업계를 리드하는 SiC 파워 디바이스의 기술 개발을 지속적으로 추진해 왔습니다. Murata Power Solutions에 채용된 최신 제3세대 SiC SBD는 총전하량 (QC)이 작아 저손실 및 고속 스위칭 동작이 가능합니다. 또한, 제2세대 SBD보다 우수한 서지 전류 내성을 실현함과 동시에 VF 특성을 한층 더 저감하였습니다.
＜서포트 정보＞
로옴은 하기 WEB 사이트에서 SiC MOSFET 및 SiC SBD, SiC 파워 모듈 등 SiC 파워 디바이스에 대한 개요를 소개함과 동시에, 제4세대 SiC MOSFET를 신속하게 평가하고 도입할 수 있도록 각종 서포트 컨텐츠를 공개하고 있습니다.
SiC 파워 디바이스 소개 사이트
https://www.rohm.co.kr/products/sic-power-devices
제4세대 SiC MOSFET의 서포트 컨텐츠
・개요 소개 동영상, 제품 동영상
・어플리케이션 노트 (제품 개요 및 평가 정보, 트랙션 인버터, 차량용 충전기, 스위칭 전원)
・디자인 모델 (SPICE 모델, PLECS 모델, 패키지 및 Footprint 등의 3D CAD 데이터)
・주요 어플리케이션의 시뮬레이션 회로 (ROHM Solution Simulator)
・평가 보드 정보
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