신규 설계 비추천
SCS308AH
650V, 8A, THD, High Surge Resistance, Silicon-carbide (SiC) SBD
SCS308AH
신규 설계 비추천
SCS308AH
650V, 8A, THD, High Surge Resistance, Silicon-carbide (SiC) SBD
기존 고객을 서포트하기 위해 생산하는 제품입니다. 신규 설계용으로는 판매하지 않습니다.
Product Detail
사양 :
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
650
Continuous Forward Current[A]
8
Generation
3rd Gen
Total Power Dissipation[W]
57
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.6x10.2 (t=4.7)
특징 :
- Shorter recovery time
- Reduced temperature dependence
- High-speed switching possible
- High surge current capability
Videos & Catalogs
제품 동영상 일람
와이드 연면 거리 패키지 SiC 쇼트키 배리어 다이오드 - SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)
2024-11-12 00:00:00.0
( 1.31 MB )
SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)은 소형 면실장 패키지로 와이드 연면 거리를 실현한 SiC 쇼트키 배리어 다이오드입니다. 소형 면실장 패키지로, 충분한 연면 거리를 확보함으로써 특별한 절연 대책 (포팅 가공)을 실시하기 위한 부하를 경감할 수 있습니다.
SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)은 소형 면실장 패키지로 와이드 연면 거리를 실현한 SiC 쇼트키 배리어 다이오드입니다. 소형 면실장 패키지로, 충분한 연면 거리를 확보함으로써 특별한 절연 대책 (포팅 가공)을 실시하기 위한 부하를 경감할 수 있습니다.