• 반도체 메모리란?
  반도체 메모리란, 반도체 회로를 전기적으로 제어함으로써, 데이터를 기억하는 역할을 담당하는 반도체 회로 장치입니다.
• 디바이스 원리 ＜DRAM＞
  DRAM의 메모리 셀 구성은 트랜지스터 1개, 콘덴서 1개로 구성되어 있습니다.
• 디바이스 원리 ＜SRAM＞
  SRAM의 메모리 셀 구성은 저소비전력 제품의 경우 6 트랜지스터 셀, 고밀도 제품의 경우 4 트랜지스터 셀로 구성되어 있습니다.
• 디바이스 원리 ＜Mask ROM＞
  Mask ROM의 메모리 셀 구성은 고집적화를 위한 NAND 구성입니다. (1 트랜지스터 셀)
• 디바이스 원리 ＜EEPROM＞
  EEPROM의 메모리 셀은, 메모리 트랜지스터와 선택 트랜지스터의 2 트랜지스터 셀로 구성되어 있습니다.
• 디바이스 원리 ＜FLASH＞
  플래시 메모리의 최소 룰을 F로 가정할 때 1bit 당 면적은 NAND 타입 4F2, NOR 타입 10F2입니다.

EEPROM 인터페이스의 특징

• 인터페이스 선정 방법
  시리얼 EEPROM의 일반적인 인터페이스는 Microwire, SPI, I²C의 3가지입니다.
• 단자 배치와 단자 기능
  시리얼 EEPROM의 일반적인 3가지 인터페이스에 대해, 각각의 단자 배치와 기능을 설명하고 있습니다.
• 커맨드 비교
  시리얼 EEPROM의 일반적인 3가지 인터페이스에 대해, 각각의 커맨드를 표로 정리하였습니다.
• EEPROM 복수개 사용 시의 구성 예 ＜I²C＞
  시리얼 EEPROM의 일반적인 3가지 인터페이스 중, I²C를 여러 개 사용 할 경우의 구성 예를 그림으로 설명하고 있습니다.
• EEPROM 복수개 사용 시의 구성 예＜SPI＞
  시리얼 EEPROM의 일반적인 3가지 인터페이스 중, SPI를 여러 개 사용 할 경우의 구성 예를 그림으로 설명하고 있습니다.
• EEPROM 복수개 사용 시의 구성 예＜Microwire＞
  시리얼 EEPROM의 일반적인 3가지 인터페이스 중, Microwire를 여러 개 사용 할 경우의 구성 예를 그림으로 설명하고 있습니다.