어플리케이션 노트 : SiC 모듈의 병렬 발진을 억제하는 방법

SiC MOSFET는 기존의 Si 디바이스에 비해 고전압, 대전류, 고속 구동, 저손실, 고온 안정성 등 많은 우수성을 지닌 차세대 디바이스입니다. 최근, 이러한 우수한 특성을 활용하여 대전류화가 가속화되는 전기자동차 (EV)의 트랙션 인버터 회로로서, 여러 개의 SiC MOSFET 소자를 병렬로 접속한 파워 모듈이 사용되는 케이스가 증가하고 있습니다.
한편 이와 같이 고속 소자를 병렬로 접속하여 사용하게 되면, 소자간의 병렬 구동 발진 (이하, 발진)이 발생하는 경우가 있습니다. 발진이 발생하면 소자가 파괴될 우려가 있으므로, 이러한 문제의 억제 대책이 시장에서의 중요 과제 중 하나로 대두되고 있습니다.
본 어플리케이션 노트는 파워 모듈의 발진을 효과적으로 억제하는 방법에 대한 설명이 게재되어 있습니다.

[목차]

1. 기초 이론
　1-1. 발진이 발생하는 메커니즘
　1-2. 발진 억제의 개념 (위상 여유도의 개선)
　1-3. 위상 여유도에 영향을 미치는 실제의 파라미터
2. 모듈의 기생 인덕턴스
　2-1. Ldd, Lgg, Lss의 정의
　2-2. 모듈 레이아웃에서의 Ldd, Lgg, Lss
3. 정리
4. 참고 문헌

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SiC MOSFET Application Note