로옴 주식회사 (본사 : 교토)는 데이터 서버 등의 산업기기, AC 어댑터 등의 민생기기에서 사용되는 1차 전원※1용으로, 650V GaN HEMT※2 및 게이트 구동용 드라이버 등을 1패키지에 탑재한 파워 스테이지 IC 「BM3G0xxMUV-LB」 (BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB)를 개발하였습니다.
신제품은 차세대 파워 디바이스인 650V GaN HEMT와 GaN HEMT의 퍼포먼스를 최대화시키기 위해 최적화된 전용 게이트 구동용 드라이버 및 추가 기능, 주변 부품을 1패키지에 탑재하였습니다. 또한, 폭넓은 구동전압 범위 (2.5V~30V) 등, 1차 전원의 모든 컨트롤러 IC에 대응 가능한 성능을 구비하여, 기존의 실리콘 MOSFET (Super Junction MOSFET※3 / 이하, Si MOSFET)의 대체 사용이 용이합니다. 이에 따라, Si MOSFET에 비해 부품 체적을 약 99％, 전력 손실을 약 55％ 삭감할 수 있어, 저손실화와 소형화를 동시에 실현할 수 있습니다.
신제품은 2023년 6월부터 양산을 개시 (샘플 가격 4,000엔 / 개, 세금 불포함) 하였습니다. 또한, 신제품과 평가 보드 3개 제품 (BM3G007MUV-EVK-002, BM3G007MUV-EVK-003, BM3G015MUV-EVK-003)의 온라인 판매도 개시하여, Chip 1 Stop, CoreStaff 등 온라인 부품 유통 사이트에서 구입이 가능합니다.
최근 지속 가능한 사회의 실현을 위해, 민생기기 및 산업기기의 전원에는 저전력화가 요구되고 있습니다. GaN HEMT는 전력 변환 효율 향상 및 장치의 소형화에 크게 기여하는 디바이스로서 주목받고 있지만, Si MOSFET에 비해 게이트의 취급이 어려워 게이트 구동용 드라이버와 세트로 사용해야 했습니다. 로옴은 이러한 시장 배경에 대응하여, 파워와 아날로그의 2가지 코어 기술을 융합함으로써 파워 반도체인 GaN HEMT와 아날로그 반도체인 게이트 구동용 드라이버를 1패키지에 집적한 파워 스테이지 IC를 개발하였습니다. 이에 따라, 차세대 파워 반도체 GaN 디바이스의 실장이 용이해졌습니다.
＜제품 라인업＞
폭넓은 구동전압 범위 (2.5V~30V) 및 짧은 전달 지연, 신속한 기동 시간 등의 특징으로, 1차 전원의 모든 컨트롤러 IC에 대응 가능합니다.
EcoGaN™은 GaN의 성능을 최대화시킴으로써 어플리케이션의 저소비전력화와 주변 부품의 소형화, 설계 공수와 부품수 삭감을 모두 지향하여, 저전력 · 소형화에 기여하는 로옴의 GaN 디바이스입니다.
・EcoGaN™은 로옴 주식회사의 상표 또는 등록상표입니다.
＜용어 설명＞
※1 : 1차 전원
산업기기 및 민생기기는 어플리케이션의 안전성을 확보하기 위해, 전원부와 출력부를 트랜스 등으로 절연한다. 절연부를 기준으로 전원측을 1차측, 출력측을 2차측이라고 하며, 1차측의 전원부를 1차 전원이라고 한다.
※2 : GaN HEMT
GaN (갈륨 나이트라이드 / 질화 갈륨)이란, 차세대 파워 디바이스에 사용되는 화합물 반도체 재료. 일반적인 반도체 재료인 실리콘에 비해 물성이 우수하고, 고주파 특성을 활용하여 채용이 시작되고 있다.
HEMT란, High Electron Mobility Transistor (고전자 이동도 트랜지스터)의 약칭이다.
※3 : Super Junction MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)
MOSFET는 트랜지스터의 일종으로, DMOSFET, Planar MOSFET, Super Junction MOSFET 등 디바이스 구조의 차이에 따라 세분화된다. Super Junction MOSFET는 DMOSFET 및 Planar MOSFET보다 내압과 출력전류 특성이 우수하여 큰 전력을 취급하는 경우 손실이 적다.
서버, AC 어댑터 등의 저손실화와 소형화에 기여하는
EcoGaN™ 파워 스테이지 IC 「BM3G0xxMUV-LB」 개발
기존의 실리콘 MOSFET를 대체하여 사용함으로써, 부품 체적 약 99％, 전력 손실 약 55％ 삭감 가능
2023년 7월 20일
＜개요＞
로옴 주식회사 (본사 : 교토)는 데이터 서버 등의 산업기기, AC 어댑터 등의 민생기기에서 사용되는 1차 전원※1용으로, 650V GaN HEMT※2 및 게이트 구동용 드라이버 등을 1패키지에 탑재한 파워 스테이지 IC 「BM3G0xxMUV-LB」 (BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB)를 개발하였습니다.
신제품은 차세대 파워 디바이스인 650V GaN HEMT와 GaN HEMT의 퍼포먼스를 최대화시키기 위해 최적화된 전용 게이트 구동용 드라이버 및 추가 기능, 주변 부품을 1패키지에 탑재하였습니다. 또한, 폭넓은 구동전압 범위 (2.5V~30V) 등, 1차 전원의 모든 컨트롤러 IC에 대응 가능한 성능을 구비하여, 기존의 실리콘 MOSFET (Super Junction MOSFET※3 / 이하, Si MOSFET)의 대체 사용이 용이합니다. 이에 따라, Si MOSFET에 비해 부품 체적을 약 99％, 전력 손실을 약 55％ 삭감할 수 있어, 저손실화와 소형화를 동시에 실현할 수 있습니다.
신제품은 2023년 6월부터 양산을 개시 (샘플 가격 4,000엔 / 개, 세금 불포함) 하였습니다. 또한, 신제품과 평가 보드 3개 제품 (BM3G007MUV-EVK-002, BM3G007MUV-EVK-003, BM3G015MUV-EVK-003)의 온라인 판매도 개시하여, Chip 1 Stop, CoreStaff 등 온라인 부품 유통 사이트에서 구입이 가능합니다.
＜배경＞
최근 지속 가능한 사회의 실현을 위해, 민생기기 및 산업기기의 전원에는 저전력화가 요구되고 있습니다. GaN HEMT는 전력 변환 효율 향상 및 장치의 소형화에 크게 기여하는 디바이스로서 주목받고 있지만, Si MOSFET에 비해 게이트의 취급이 어려워 게이트 구동용 드라이버와 세트로 사용해야 했습니다. 로옴은 이러한 시장 배경에 대응하여, 파워와 아날로그의 2가지 코어 기술을 융합함으로써 파워 반도체인 GaN HEMT와 아날로그 반도체인 게이트 구동용 드라이버를 1패키지에 집적한 파워 스테이지 IC를 개발하였습니다. 이에 따라, 차세대 파워 반도체 GaN 디바이스의 실장이 용이해졌습니다.
＜제품 라인업＞
폭넓은 구동전압 범위 (2.5V~30V) 및 짧은 전달 지연, 신속한 기동 시간 등의 특징으로, 1차 전원의 모든 컨트롤러 IC에 대응 가능합니다.
시트
단자 전압
Max.[V]
범위
[V]
전압
[V]
동작전류
Typ.[µA]
정지전류
Typ.[µA]
Typ.[mΩ]
지연 시간
Typ.[ns]
지연 시간
Typ.[ns]
범위
[℃]
[mm]
~
＋30
~
30
~
＋105
VQFN046V8080
(8.0×8.0×1.0)
※ID=0.5A, VIN=5V, Ta=25℃
＜어플리케이션 예＞
1차 전원 (AC-DC 및 PFC 회로)을 탑재하는 다양한 어플리케이션에서 사용 가능합니다.
민생기기 : 백색가전, AC 어댑터, PC, TV, 냉장고, 에어컨
산업기기 : 서버, OA 기기
＜온라인 판매 정보＞
판매 시기 : 2023년 6월부터
판매 사이트 : Chip 1 Stop, CoreStaff 등
온라인 부품 유통 사이트에서 순차적으로 판매 예정
1개부터 구입 가능
・제품 정보
판매 대상 품번 :
BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB
・평가 보드 정보
평가 보드 품번 :
BM3G007MUV-EVK-002 (PFC 240W)
BM3G007MUV-EVK-003
BM3G015MUV-EVK-003
＜EcoGaN™＞
EcoGaN™은 GaN의 성능을 최대화시킴으로써 어플리케이션의 저소비전력화와 주변 부품의 소형화, 설계 공수와 부품수 삭감을 모두 지향하여, 저전력 · 소형화에 기여하는 로옴의 GaN 디바이스입니다.
・EcoGaN™은 로옴 주식회사의 상표 또는 등록상표입니다.
＜용어 설명＞
HEMT란, High Electron Mobility Transistor (고전자 이동도 트랜지스터)의 약칭이다.
＜제품 소개 영상＞
＜신제품 프레젠테이션 자료 "Featured Products"＞
AC-DC 전원 회로의 혁신에 기여하는 로옴의 EcoGaN™ 솔루션
650V EcoGaN™ 파워 스테이지 IC
BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB (PDF : 907KB)
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