업계 초고속 3.5ms 쓰기, 125℃ 동작 대응 EEPROM 「BR24H-5AC 시리즈」 개발
전자기기 출하 전의 초기 데이터 쓰기 시간 30% 단축에 기여

2020년 12월 24일

※2020년 12월 24일 현재 로옴 조사

<개요>

BR24H-5AC Series

로옴 주식회사 (본사 : 교토)는 차량용 카메라 및 센서의 출하 시 설정 및 에어백의 작동 이력, 상시 통전이 필요한 FA 기기 및 서버의 데이터 로그 시스템 등, 가혹한 환경에서도 안정적인 데이터 쓰기 및 보존이 가능한 I2C BUS※1 125℃ 동작 대응 EEPROM 「BR24H-5AC 시리즈」를 개발하였습니다.
본 시리즈는 독자적인 데이터 쓰기 · 읽기 회로 기술을 구사하여, 업계 초고속 3.5ms (millisecond)의 고속 쓰기를 실현한 125℃ 동작 대응 EEPROM입니다. 일반품의 쓰기 속도 5ms 대비, 쓰기 시간을 30% 단축할 수 있습니다. 따라서, 전자기기의 제조 공정에서 10만대에 256Kbit의 초기 데이터 쓰기 (512회 쓰기 처리)를 실시할 경우, 공장 라인 점유 시간을 약 1일 단축할 수 있습니다. 또한, 다시 쓰기 (Rewrite) 횟수도 일반품의 경우 100만회 보증인 반면, 본 시리즈는 400만회 보증이므로, 전자기기의 장수명화에 기여할 뿐만 아니라, 데이터의 다시 쓰기가 빈번하게 실시되는 상태 기록 용도에도 최적입니다.
본 시리즈는 2020년 10월부터 월 100만개의 생산 체제로 순차 양산을 개시 (샘플 가격 : 200엔 / 개, 세금 불포함)하였으며, chip 1 stop, Corestaff 등 온라인 부품 유통 사이트에서 1개부터 구입이 가능합니다.
앞으로도 로옴은 본 시리즈의 더욱 다양한 용량 라인업화를 추진함과 동시에 SPI BUS 대응 제품도 개발함으로써, 폭넓은 자동차 · 산업기기의 고신뢰화와 공장 출하 시의 공정 시간 단축에 기여해 나갈 것입니다.

<배경>

자동차 · 산업기기 분야에서는 안전성과 생산 이력 관리에 대한 요구에 따라, 시스템 내부의 비휘발성 메모리※2에 시스템의 작동 이력을 기록하여 보존하는 것이 요구되고 있습니다. 이러한 비휘발성 메모리 중, EEPROM의 경우, 마찬가지로 비휘발성 메모리인 플래시 메모리에 비해 가혹한 환경에서도 안정적으로 데이터의 보존과 쓰기가 가능하여, 자동차 · 산업기기 분야에서는 차량용 카메라 및 에어백, FA 기기 및 서버 등 높은 신뢰성을 필요로 하는 어플리케이션에서 채용되고 있습니다.
로옴은, 20년 이상 EEPROM을 개발해온 반도체 메이커로서, 특징 있는 고신뢰성 메모리 셀을 자사 내부에서 개발하는 등, 고품질 제품을 제공하여 자동차 · 산업기기 · 민생기기 분야에서 높은 평가를 받고 있습니다. 이번에 개발한 I2C BUS의 EEPROM은 공장 출하 전의 공정 시간 단축에 기여하는, 자동차 · 산업기기용 신 시리즈입니다.

신제품 「BR24H-5AC 시리즈」의 개요 I2C BUS 125℃ 동작 대응 EEPROM 쓰기 시간 비교

<특징>

「BR24H-5AC 시리즈」는 메모리 셀 특성의 제조 편차를 줄여, 메모리 성능을 최대화하는 독자적인 데이터 쓰기 · 읽기 회로 기술을 구사함으로써, 하기 4가지 특징을 실현하여 시스템의 고효율화에 기여합니다.

1. I2C BUS 업계 초고속 3.5ms 쓰기로, 전자기기 출하 전의 초기 쓰기 시간 30% 단축에 기여

「BR24H-5AC 시리즈」는 I2C BUS 125℃ 동작 대응 EEPROM으로, 업계 초고속 3.5ms (millisecond)의 고속 쓰기를 실현하였습니다. 일반품의 쓰기 속도 5ms 대비, 쓰기 시간을 30% 단축할 수 있으므로, 전자기기 출하 전의 EEPROM 초기 쓰기 시간 단축 및 긴급 시의 데이터 로그 시스템의 고신뢰화에 기여할 수 있습니다.
예를 들어, 전자기기의 제조 공정에서 10만대에 256Kbit의 초기 데이터 쓰기 처리를 실시하는 경우, 일반품 대비 공장 라인 점유 시간을 약 1일 (일반품 : 5ms × 10만대 × 512회 = 약 71시간, 신제품 : 3.5ms × 10만대 × 512회 = 약 50시간) 단축할 수 있습니다.

2. 400만회 다시 쓰기가 가능하여, 전자기기의 장수명화에 기여

I2C BUS 125℃ 동작 대응 EEPROM의 다시 쓰기 횟수 비교

본 시리즈는 125℃ 동작 대응 EEPROM으로서, 업계 최고 수준의 다시 쓰기 횟수 400만회를 실현하였습니다. 일반품이 100만회인 반면, 본 시리즈는 4배 많은 다시 쓰기가 가능하므로, 전자기기의 장수명화에 기여할 뿐만 아니라, 데이터 다시 쓰기가 빈번하게 실시되는 상태 기록 용도에도 최적입니다.

3. 1.7V 저전압 동작으로, 배터리 구동 어플리케이션에도 대응

본 시리즈는 125℃ 동작 대응 EEPROM으로서, 저전압 1.7V 동작에 대응하고 있습니다. 따라서, 일반적인 5V계, 3V계뿐만 아니라, Keyless Entry (열쇠를 사용하지 않고 음파 ∙ 전파 등을 이용하여 문을 개폐하는 구조) 등 배터리 구동이 필요한 저전압 1.8V계 어플리케이션에도 대응 가능합니다.

4. 전세계적인 고신뢰성 요구에 대응

본 시리즈는 전세계적인 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q100 및 고신뢰성 제품의 표준이 되는 125℃ 동작에 대응합니다. 또한, 시리즈 전 제품에 ECC (Error Check and Correction : 오류 검출 및 정정) 기능을 탑재하여, 만일의 우발적인 메모리 고장이 발생하더라도 데이터를 보존할 수 있습니다. 또한, 표준적인 EEPROM 단자 배치로 일반적인 면실장 패키지와 용량 (순차 개발중) 라인업을 구비하고 있으므로, 기존 제품의 대체 사용이 용이합니다.

<BR24H-5AC 시리즈 라인업>

품명 패키지
라인업
용량 전원
전압
범위
데이터
쓰기
시간
데이터
다시 쓰기
횟수
데이터
보존 기간
동작온도
범위
☆ BR24H01-5AC SOP8
SOP-J8
TSSOP-B8
MSOP8
VSON008X2030
1Kbit 1.7V~
5.5V
3.5ms
(Max.)
400만회
(Ta=25℃ 시)
100년
(Ta=25℃ 시)
-40℃~
+125℃
☆ BR24H02-5AC 2Kbit
☆ BR24H04-5AC 4Kbit
☆ BR24H08-5AC 8Kbit
☆ BR24H16-5AC 16Kbit
BR24H32-5AC 32Kbit
BR24H64-5AC 64Kbit
BR24H128-5AC 128Kbit
BR24H256-5AC 256Kbit
★ BR24H512-5AC SOP8
SOP-J8
TSSOP-B8
MSOP8
512Kbit
★ BR24H1M-5AC SOP8
SOP-J8
TSSOP-B8
1Mbit 2.5V~
5.5V

☆ / ★ : 개발중 (☆은 2021년 6월까지 샘플 출하 개시, ★은 2021년 3월까지 샘플 출하 개시 예정)

<어플리케이션 예>

  • ■차량용 카메라 등 ADAS계 시스템의 출하 시 설정 보존
  • ■클러스터의 주행 거리 표시
  • ■카 네비게이션 및 카 오디오의 설정 보존
  • ■이그니션의 ON / OFF 이력
  • ■에어백 등의 작동 이력, 긴급 시 데이터 로그 시스템
  • ■상시 통전이 필요한 FA 기기 등의 데이터 로그 시스템

등, 장기간에 걸쳐 고신뢰성 데이터 보존이 필요한 어플리케이션에 최적입니다.

<온라인 판매 정보>

  • 대상 제품 :      I2C BUS 125℃ 동작 대응 EEPROM 「BR24H-5AC 시리즈」
  • 판매 개시 :      2020년 12월부터
  • 판매 사이트 :   chip 1 stop, Corestaff

<용어 설명>

※1 : I2C BUS, SPI BUS
I2C (Inter-Integrated Circuits) BUS는 클록 선과 입출력 겸용 데이터 선을 이용하여 통신하는 시리얼 통신 규격의 일종이다. 입출력 핀을 겸용으로 사용함으로써 대응 핀수를 줄일 수 있으므로, 가장 자주 사용되는 통신 인터페이스로서 폭넓은 용도에 사용된다.
반면에, SPI (Serial Peripheral Interface) BUS는 클록선, 입력 데이터 선, 출력 데이터 선을 이용하여 통신하는 시리얼 통신 규격의 일종이다. 데이터의 포맷 및 원리가 단순하므로 고속 통신이 가능하다.
※2 : 휘발성 메모리, 비휘발성 메모리
휘발성 메모리는 DRAM과 같이, 읽기 쓰기 횟수 및 처리 시간이 우수하지만, 메모리에 대한 전원 공급이 중단되는 경우 데이터가 삭제된다. 반면에 비휘발성 메모리는 플래시 메모리 및 EEPROM과 같이 전원 공급이 중단되어도 데이터를 보존할 수 있다.
본 건에 대한 문의