Leadrive Technology와 로옴이 SiC 탑재 자동차 인버터 개발을 위한 공동 연구소 개설
2020년 6월 24일
중국의 신에너지 자동차용 구동 분야의 리딩 컴퍼니인 Leadrive Technology (Shanghai) Co., Ltd. (이하, LEADRIVE)와 로옴 주식회사 (이하, 로옴)는 중국 (상하이) 자유무역시험구 임항신구에 「SiC 기술 공동 연구소」를 개설, 2020년 6월 9일에 제막식을 실시하였습니다.
SiC 파워 디바이스는 IGBT※1 등의 Si (실리콘) 파워 디바이스에 비해 「스위칭 손실 및 도통 손실※2이 적고」「온도 변화에 강하다」는 메리트가 있어, 극적인 저손실화를 실현할 수 있는 반도체로서 전기자동차의 온보드 차저 (On Board Charger) 및 DC/DC 컨버터 등에서 채용이 추진되고 있습니다.
LEADRIVE와 로옴은 2017년부터 협력 관계를 맺고, 지금까지 SiC 파워 디바이스를 탑재한 차량용 어플리케이션 개발에 대한 기술 교류를 실시해 왔습니다. 이번에, 로옴의 SiC MOSFET※3 베어 칩 및 절연 게이트 드라이버를 활용한 차량용 파워 모듈, 인버터 개발을 위한 공동 연구소를 개설함으로써, 향후 SiC를 중심으로 한 혁신적인 파워 솔루션 개발을 가속화할 예정입니다.
Leadrive Technology (Shanghai) Co.,Ltd. 이사장 겸 총경리 Shen Jie (박사) 신에너지 자동차에 있어서 SiC 칩을 탑재한 SiC 파워 모듈의 채용은 향후 수년에 걸쳐 업계의 트렌드가 될 것입니다. 전 세계의 자원을 수집하여 연구 개발을 가속화함으로써, 발전된 SiC 탑재 제품의 상품화를 실현할 수 있다면, 오토모티브 Tier1 메이커로서 매우 강력한 경쟁력을 확보할 수 있게 될 것입니다. 로옴과는 LEADRIVE 창립 때부터 강력한 협력 관계를 맺어왔습니다. 이번 공동 연구소를 통해 한층 더 협력 관계를 강화해 나가고자 합니다.
로옴 주식회사 집행 임원 파워 디바이스 사업 본부장 Kazuhide Ino (박사) 로옴은 SiC 파워 디바이스의 리딩 컴퍼니로서 업계를 리드하는 디바이스 기술과 구동 IC 등을 조합한 파워 솔루션의 제공 실적을 보유하고 있으며, xEV의 어플리케이션에 대한 SiC의 보급에 주력하고 있습니다. SiC 파워 디바이스의 기술 개발에 있어서 고객의 요구 및 시장 동향의 파악은 매우 중요한 요소입니다. LEADRIVE는 차량용 파워 모듈과 인버터 메이커로서 SiC의 응용 연구에서 중요한 역할을 담당하고 있습니다. 이번 공동 연구소를 통해 양사의 협력 관계를 강화하여, SiC를 중심으로 한 파워 솔루션으로 자동차의 기술 혁신에 기여해 나가고자 합니다.
LEADRIVE에 대하여 LEADRIVE는 2017년에 설립되어, 신에너지 자동차 (New Energy Vehicles)용으로 고도의 반도체를 탑재한 파워 모듈과 모터, 인버터를 통한 파워 솔루션을 제공하는 하이테크 기업입니다. 최첨단 연구 개발 및 어플리케이션 설계 능력을 활용하여, 고성능 저비용을 실현한 제품을 개발하고 있습니다. 또한, SiC 베어 칩을 채용한 SiC 파워 모듈 및 시스템의 개발에 있어서, 10년 이상의 경험을 축적하고 있습니다. 100건이 넘는 국제 특허를 취득하는 등, 신에너지, 전력 변환, 파워 일렉트로닉스의 주요 3분야에서 국제 수준의 기술을 보유하고 있습니다. 자세한 사항은 LEADRIVE 홈페이지 (http://www.leadrive.com/)를 참조하여 주십시오.
<용어 설명>
※1 : IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor / 절연 게이트 타입 바이폴라 트랜지스터) MOSFET의 고속 스위칭 특성과 바이폴라 트랜지스터의 낮은 도통 손실 특성을 겸비한 파워 트랜지스터.
※2 : 도통 손실, 스위칭 손실 MOSFET 및 IGBT 등 트랜지스터는 디바이스 구조 상, 사용 시에 손실이 발생하게 된다. 도통 손실은 디바이스에 전류가 흐를 때 (ON 상태), 디바이스의 저항 성분으로 인해 발생하는 손실이다. 스위칭 손실은 디바이스의 통전 상태를 전환할 때 (스위칭 동작 시), 발생하는 손실이다.
※3 : MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor의 약자) 금속 – 산화물 – 반도체 전계 효과 트랜지스터. FET 중에서는 가장 일반적으로 사용되는 구조이며, 스위칭 소자로서 사용된다.
Leadrive Technology와 로옴이 SiC 탑재 자동차 인버터 개발을 위한 공동 연구소 개설
2020년 6월 24일
중국의 신에너지 자동차용 구동 분야의 리딩 컴퍼니인 Leadrive Technology (Shanghai) Co., Ltd. (이하, LEADRIVE)와 로옴 주식회사 (이하, 로옴)는 중국 (상하이) 자유무역시험구 임항신구에 「SiC 기술 공동 연구소」를 개설, 2020년 6월 9일에 제막식을 실시하였습니다.
SiC 파워 디바이스는 IGBT※1 등의 Si (실리콘) 파워 디바이스에 비해 「스위칭 손실 및 도통 손실※2이 적고」「온도 변화에 강하다」는 메리트가 있어, 극적인 저손실화를 실현할 수 있는 반도체로서 전기자동차의 온보드 차저 (On Board Charger) 및 DC/DC 컨버터 등에서 채용이 추진되고 있습니다.
LEADRIVE와 로옴은 2017년부터 협력 관계를 맺고, 지금까지 SiC 파워 디바이스를 탑재한 차량용 어플리케이션 개발에 대한 기술 교류를 실시해 왔습니다. 이번에, 로옴의 SiC MOSFET※3 베어 칩 및 절연 게이트 드라이버를 활용한 차량용 파워 모듈, 인버터 개발을 위한 공동 연구소를 개설함으로써, 향후 SiC를 중심으로 한 혁신적인 파워 솔루션 개발을 가속화할 예정입니다.
Leadrive Technology (Shanghai) Co.,Ltd. 이사장 겸 총경리 Shen Jie (박사)
신에너지 자동차에 있어서 SiC 칩을 탑재한 SiC 파워 모듈의 채용은 향후 수년에 걸쳐 업계의 트렌드가 될 것입니다. 전 세계의 자원을 수집하여 연구 개발을 가속화함으로써, 발전된 SiC 탑재 제품의 상품화를 실현할 수 있다면, 오토모티브 Tier1 메이커로서 매우 강력한 경쟁력을 확보할 수 있게 될 것입니다.
로옴과는 LEADRIVE 창립 때부터 강력한 협력 관계를 맺어왔습니다. 이번 공동 연구소를 통해 한층 더 협력 관계를 강화해 나가고자 합니다.
로옴 주식회사 집행 임원 파워 디바이스 사업 본부장 Kazuhide Ino (박사)
로옴은 SiC 파워 디바이스의 리딩 컴퍼니로서 업계를 리드하는 디바이스 기술과 구동 IC 등을 조합한 파워 솔루션의 제공 실적을 보유하고 있으며, xEV의 어플리케이션에 대한 SiC의 보급에 주력하고 있습니다.
SiC 파워 디바이스의 기술 개발에 있어서 고객의 요구 및 시장 동향의 파악은 매우 중요한 요소입니다. LEADRIVE는 차량용 파워 모듈과 인버터 메이커로서 SiC의 응용 연구에서 중요한 역할을 담당하고 있습니다. 이번 공동 연구소를 통해 양사의 협력 관계를 강화하여, SiC를 중심으로 한 파워 솔루션으로 자동차의 기술 혁신에 기여해 나가고자 합니다.
LEADRIVE에 대하여
LEADRIVE는 2017년에 설립되어, 신에너지 자동차 (New Energy Vehicles)용으로 고도의 반도체를 탑재한 파워 모듈과 모터, 인버터를 통한 파워 솔루션을 제공하는 하이테크 기업입니다. 최첨단 연구 개발 및 어플리케이션 설계 능력을 활용하여, 고성능 저비용을 실현한 제품을 개발하고 있습니다. 또한, SiC 베어 칩을 채용한 SiC 파워 모듈 및 시스템의 개발에 있어서, 10년 이상의 경험을 축적하고 있습니다. 100건이 넘는 국제 특허를 취득하는 등, 신에너지, 전력 변환, 파워 일렉트로닉스의 주요 3분야에서 국제 수준의 기술을 보유하고 있습니다.
자세한 사항은 LEADRIVE 홈페이지 (http://www.leadrive.com/)를 참조하여 주십시오.
<용어 설명>
※1 : IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor / 절연 게이트 타입 바이폴라 트랜지스터)
MOSFET의 고속 스위칭 특성과 바이폴라 트랜지스터의 낮은 도통 손실 특성을 겸비한 파워 트랜지스터.
※2 : 도통 손실, 스위칭 손실
MOSFET 및 IGBT 등 트랜지스터는 디바이스 구조 상, 사용 시에 손실이 발생하게 된다.
도통 손실은 디바이스에 전류가 흐를 때 (ON 상태), 디바이스의 저항 성분으로 인해 발생하는 손실이다. 스위칭 손실은 디바이스의 통전 상태를 전환할 때 (스위칭 동작 시), 발생하는 손실이다.
※3 : MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor의 약자)
본 건에 대한 문의금속 – 산화물 – 반도체 전계 효과 트랜지스터. FET 중에서는 가장 일반적으로 사용되는 구조이며, 스위칭 소자로서 사용된다.
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