SCT3080KRHR
1200V, 31A, 4단자 THD, Trench 구조 오토모티브용 SiC-MOSFET
SCT3080KRHR
SCT3080KRHR
1200V, 31A, 4단자 THD, Trench 구조 오토모티브용 SiC-MOSFET
SCT3080KRHR은 1200V 31A의 Nch SiC 파워 MOSFET입니다. Trench 구조로 ON 저항을 저감하였습니다. AEC-Q101에 준거하는 고신뢰성 오토모티브 사양의 제품입니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
80
Generation
3rd Gen (Trench)
Drain Current[A]
31
Total Power Dissipation[W]
165
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
16x23.45 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
특징 :
- Qualified to AEC-Q101
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
