YQ20NL10SDFH

Trench MOS Structure, 100V, 20A, LPDL, Highly Efficient SBD for Automotive
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YQ20NL10SDFH

YQ20NL10SDFH
Trench MOS Structure, 100V, 20A, LPDL, Highly Efficient SBD for Automotive

The YQ20NL10SDFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high temperatures. Ideal for switching power supplies, freewheel diodes, and reverse polarity protection applications.

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Product Detail

 
형명 | YQ20NL10SDFHTL
상태 | 구입 가능
패키지 | LPDL (TO-263L)
포장 사양 | Taping
포장 수량 | 1000
최소 포장 단위 | 1000
RoHS | Yes

사양 :

Configuration

Single

Package Code

TO-263 (D2PAK)

Number of terminal

3

VRM[V]

100

Reverse Voltage VR[V]

100

Average Rectified Forward Current IO[A]

20

IFSM[A]

150

Forward Voltage VF(Max.)[V]

0.96

IF @ Forward Voltage [A]

20

Reverse Current IR(Max.)[mA]

0.07

VR @ Reverse Current[V]

100

Tj[℃]

150

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

15.1x10.1 (t=4.7)

Common Standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

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특징 :

  • High reliability
  • Power mold type
  • Low VF and low IR
  • Low capacitance

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성능 · 패키지에 따라 풍부한 라인업 구비! 로옴의 Si 파워 다이오드 - Si 파워 다이오드 베스트 셀렉션
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로옴의 Si 파워 다이오드는 용도 및 패키지에 따라 최적의 제품을 선택할 수 있는 풍부한 라인업과 안정적인 품질로 많은 채용 실적을 보유한 제품입니다. 높은 기술과 품질을 추구하는 로옴의 제조 체제로, 자동차기기 · 산업기기 · 민생기기의 다양한 어플리케이션에 안심하고 채용할 수 있습니다.
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Trench MOS Type High Efficiency SBDs YQ Series
2024-02-14 00:00:00.0 ( 2:54 )
The YQ series utilizes an original trench MOS structure. A lower VF and a lower IR can be achieved at the same time.
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100V 내압 고성능 쇼트키 배리어 다이오드 - YQ 시리즈
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