YQ20NL10SDFH
Trench MOS 구조, 100V, 20A, LPDL, 오토모티브용 고효율 SBD
YQ20NL10SDFH
Trench MOS 구조, 100V, 20A, LPDL, 오토모티브용 고효율 SBD
YQ20NL10SDFH는 낮은 VF와 낮은 IR 간의 트레이드 오프를 개선하도록 설계된 고효율 쇼트키 배리어 다이오드입니다. 낮은 VF를 통해 고온에서도 안정적인 동작을 구현합니다. 스위칭 전원 공급 장치, 프리휠 다이오드 및 역극성 보호 애플리케이션에 이상적입니다.
Product Detail
사양 :
Configuration
Single
Package Code
TO-263 (D2PAK)
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
3
VRM[V]
100
Reverse Voltage VR[V]
100
Average Rectified Forward Current IO[A]
20
IFSM[A]
150
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.96
IF @ Forward Voltage [A]
20
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.07
VR @ Reverse Current[V]
100
Tj[℃]
150
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
15.1x10.1 (t=4.7)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
특징 :
- 높은 신뢰성
- 파워 몰드 타입
- 낮은 VF 및 낮은 IR
- 낮은 커패시턴스