YQ20NL10SD
Trench MOS 구조 100V, 20A, LPDL, 고효율 SBD
YQ20NL10SD
Trench MOS 구조 100V, 20A, LPDL, 고효율 SBD
YQ20NL10SD는 저 VF와 저 IR 간의 트레이드오프를 개선하여 설계된 고효율 쇼트키 배리어 다이오드입니다. 낮은 VF로 고온에서도 안정적인 동작을 구현합니다. 스위칭 전원 공급 장치, 프리휠 다이오드 및 역극성 보호 애플리케이션에 이상적입니다.
Product Detail
사양 :
Configuration
Single
Package Code
TO-263 (D2PAK)
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
3
VRM[V]
100
Reverse Voltage VR[V]
100
Average Rectified Forward Current IO[A]
20
IFSM[A]
150
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.96
IF @ Forward Voltage [A]
20
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.07
VR @ Reverse Current[V]
100
Tj[℃]
150
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
15.1x10.1 (t=4.7)
특징 :
- 고신뢰성
- 파워 몰드 타입
- 낮은 VF 및 낮은 IR
- 낮은 캐패시턴스
_IGBT.png)
Videos & Catalogs
