SiC 파워 디바이스란?
SiC 파워 디바이스란?
- SiC 반도체
SiC는 실리콘 (Si)과 탄소 (C)로 구성된 화합물 반도체 재료입니다. 절연 파괴 전계 강도가 Si의 10배, 밴드갭이 Si의 3배로 우수하여, Si의 한계를 뛰어넘는 파워 디바이스용 재료로서 주목받고 있습니다. - SiC SBD
SiC를 사용하면, 고속 디바이스 구조인 SBD (쇼트키 배리어 다이오드)구조로, 600V 이상의 고내압 다이오드를 실현할 수 있습니다. 따라서, FRD (패스트 리커버리 다이오드) 대신 사용함으로써, 리커버리 손실을 대폭 삭감할 수 있습니다. - SiC-MOSFET
SiC는 드리프트층의 저항이 Si 디바이스보다 낮기 때문에, 고속 디바이스 구조인 MOSFET로 고내압과 저저항을 동시에 실현할 수 있습니다. - SiC 파워 모듈
SiC-MOSFET와 SiC-SBD를 탑재한 SiC 파워 모듈은 IGBT의 tail 전류와 FRD의 리커버리 전류로 인해 발생하는 스위칭 손실을 대폭 저감할 수 있습니다.
기술 자료