SCS306AG
650V, 6A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD
SCS306AG
650V, 6A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD
스위칭 손실 감소로 고속 스위칭 가능.
Product Detail
사양 :
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
650
Continuous Forward Current[A]
6
Generation
3rd Gen
Total Power Dissipation[W]
46
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
10.16x19.17 (t=4.44)
특징 :
- 회복 시간 단축
- 온도 의존성 감소
- 고속 스위칭 가능
- 높은 서지 전류 내성