SCS212AN (신제품)
650V, 12A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD
SCS212AN
SCS212AN (신제품)
650V, 12A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD
Switching loss reduced, enabling high-speed switching. (Wide creepage distance, 3-pin package)
Product Detail
사양 :
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
650
Continuous Forward Current[A]
12
Generation
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]
93
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.1x10.1 (t=4.7)
특징 :
- Low forward voltage
- Negligible recovery time/current
- Temperature independent switching behavior
- Wide creepage distance = min. 5.10mm
Videos & Catalogs
제품 동영상 일람
와이드 연면 거리 패키지 SiC 쇼트키 배리어 다이오드 - SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)
2024-11-12 00:00:00.0
( 1.31 MB )
SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)은 소형 면실장 패키지로 와이드 연면 거리를 실현한 SiC 쇼트키 배리어 다이오드입니다. 소형 면실장 패키지로, 충분한 연면 거리를 확보함으로써 특별한 절연 대책 (포팅 가공)을 실시하기 위한 부하를 경감할 수 있습니다.
SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)은 소형 면실장 패키지로 와이드 연면 거리를 실현한 SiC 쇼트키 배리어 다이오드입니다. 소형 면실장 패키지로, 충분한 연면 거리를 확보함으로써 특별한 절연 대책 (포팅 가공)을 실시하기 위한 부하를 경감할 수 있습니다.