ROHM Product Detail

BSM300D12P4G101

1200V, 291A, 하프 브릿지, Trench MOSFET 탑재 Full SiC 파워 모듈
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BSM300D12P4G101

BSM300D12P4G101
1200V, 291A, 하프 브릿지, Trench MOSFET 탑재 Full SiC 파워 모듈

BSM300D12P4G101은 SiC-UMOSFET으로 구성된 하프 브릿지 모듈로, 모터 구동, 인버터, 컨버터, 태양광 발전, 풍력 발전, 유도 가열 장비에 적합합니다.

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* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
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Product Detail

 
형명 | BSM300D12P4G101
상태 | 추천품
패키지 | G Type
포장 사양 | Corrugated Cardboard
포장 수량 | 4
최소 포장 단위 | 4
RoHS | Yes
장기 공급 프로그램 | 10 Years

사양 :

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

291

Total Power Dissipation[W]

925

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

Half-Bridge

Package Size [mm]

152.0x62.0 (t=18.0)

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특징 :

  • 낮은 서지, 낮은 스위칭 손실.
  • 고속 스위칭 가능.
  • 온도 의존성 감소.

레퍼런스 디자인 / 어플리케이션 평가 Kit

 
    • Drive Board - BSMGD3G12D24-EVK001

    • This evaluation board, BSMGD3G12D24-EVK001, is a gate driver board for full SiC Modules with the 3rd / 4th Generation SiC-MOSFET in G and E type housing. This evaluation board contains all the necessary components for optimal and safety driving the SiC module.

    • User's Guide
    • Snubber Module - MGSM1D72J2-145MH16

    • Snubber Module for BSM series (1200V, E / G type)

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