ROHM Product Detail

신규 설계 비추천 BSM300C12P3E201
1200V, 300A, Boost Chopper, Trench MOSFET 탑재 Full SiC 파워 모듈

기존 고객을 서포트하기 위해 생산하는 제품입니다. 신규 설계용으로는 판매하지 않습니다.

Product Detail

 
형명 | BSM300C12P3E201
패키지 | E Type
포장 사양 | Corrugated Cardboard
포장 수량 | 4
최소 포장 단위 | 4
RoHS | Yes

사양 :

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

300

Total Power Dissipation[W]

1360

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

Chopper

Package Size [mm]

152.0x62.0 (t=18.0)

특징 :

  • 저 서지, 저 스위칭 손실.
  • 고속 스위칭 가능.
  • 온도 의존성 저감.

레퍼런스 디자인 / 어플리케이션 평가 Kit

 
    • Drive Board - BSMGD3G12D24-EVK001
    • This evaluation board, BSMGD3G12D24-EVK001, is a gate driver board for full SiC Modules with the 3rd / 4th Generation SiC-MOSFET in G and E type housing. This evaluation board contains all the necessary components for optimal and safety driving the SiC module.

  • User's Guide
    • Snubber Module - MGSM1D72J2-145MH16
    • Snubber Module for BSM series (1200V, E / G type)

    • Drive Board - TAMURA 2DU series
    • Drive Board for BSM series (1200V, C / E / G type)

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