BSM180D12P2E002
1200V, 204A, 하프 브리지, SiC 파워 모듈
신규 설계 비추천
BSM180D12P2E002
1200V, 204A, 하프 브리지, SiC 파워 모듈
기존 고객을 서포트하기 위해 생산하는 제품입니다. 신규 설계용으로는 판매하지 않습니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain Current[A]
204
Total Power Dissipation[W]
1360
Junction Temperature (Max.) [℃]
175
Storage Temperature (Min.) [℃]
-40
Storage Temperature (Max.) [℃]
125
Package
Half-Bridge
Package Size [mm]
152.0x62.0 (t=18.0)
특징 :
- 낮은 서지, 낮은 스위칭 손실.
- 고속 스위칭 가능.
- 온도 의존성 감소.
레퍼런스 디자인 / 어플리케이션 평가 Kit
-
- Drive Board - BSMGD2G12D24-EVK001
This evaluation board, BSMGD2G12D24-EVK001, is a gate driver board for full SiC Modules with the 2nd Generation SiC-MOSFET in G and E type housing. This evaluation board contains all the necessary components for optimal and safety driving the SiC module
-
- Snubber Module - MGSM1D72J2-145MH16
Snubber Module for BSM series (1200V, E / G type)
-
- Drive Board - TAMURA 2DU series
Drive Board for BSM series (1200V, C / E / G type)
