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SiC 파워 모듈 - BSM180D12P2C101

로옴의 SiC-DMOSFET를 사용한 Half bridge 구성의 SiC MOSFET 모듈입니다.

SiC FundamentalsSiC Power Device Application Note

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명 | BSM180D12P2C101
상태 | 공급중
패키지 | C
포장 수량 | 12
최소 포장 단위 | 12
포장 사양 | Tray
RoHS | Yes

사양 :

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

204.0

Total Power Dissipation[W]

1360

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Package

Half bridge

특징 :

・SiC MOSFET-only power module
・High-speed switching and low switching loss
・Ensured reliability of body diode conduction
・Low body diode Qrr and trr