SiC 파워 모듈 - BSM120D12P2C005 | 로옴 주식회사 - ROHM Semiconductor - korea - Rohm.com

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SiC 파워 모듈 - BSM120D12P2C005

로옴의 SiC 디바이스를 사용한 Half bridge 구성의 Full SiC 파워 모듈입니다.

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* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.

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형명 | BSM120D12P2C005

상태 | 공급중

패키지 | C

포장 수량 | 12

최소 포장 단위 | 12

포장 사양 | Tray

RoHS | Yes

사양 :

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

134.0

Total Power Dissipation[W]

935

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Package

Half bridge

특징 :

・Full SiC power module with SiC MOSFET and SiC SBD
・High-speed switching and low switching loss
・Ensured reliability of body diode conduction

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BSM300C12P3E201	Silicon carbide Power Module	문의
BSM120C12P2C201	Silicon carbide Power Module	문의

PART NUMBER BSM180C12P2E202	Datasheet
Product Series Silicon carbide Power Module
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