SiC MOSFET
SiC MOSFET는 스위칭 시의 tail 전류가 원리적으로 발생하지 않아, 동작이 고속이고 스위칭 손실이 낮은 디바이스입니다. 저 ON 저항과 소형 칩 사이즈로, 게이트 전하 용량을 저감하였습니다. 또한, SiC는 고온 환경에서도 ON 저항의 증가율이 작다는 우수한 재료 특성을 구비하여, 실리콘 (Si) 디바이스보다 저전력이며 스페이스 절약이 가능하다는 점에서 우수합니다.
제4세대 SiC MOSFET
로옴이 양산을 시작한 제4세대 SiC MOSFET는, 단락 내량 시간을 개선하여, 업계 최고 수준의 저 ON 저항을 실현한 디바이스입니다. 현재 베어 칩과 디스크리트 패키지로 제품을 전개하고 있습니다.
SiC MOSFET, SiC SBD의 디스크리트 패키지 로드맵
현재 패키지 라인업 및 개발 중인 패키지입니다.

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SiC MOSFET 서포트 컨텐츠
평가 보드

Evaluation Board HB2637L-EVK-301
The evaluation board is configured in a half bridge set up and thus allows evaluations in different operations modes such as buck, boost, synchronous buck/boost and inverter operations. The board is equipped with two SiC MOSFETs(SCT4036KW7), isolated gate driver BM61S41RFV-C, isolated power supply required for the gate driver, LDO for 5V supply and easy to interface connectors for PWM signals.

EVK Simulatrion (ROHM Solution Simulator)
・P05CT4018KR-EVK-001 Double Pulse Test
・P04SCT4018KE-EVK-001 Double Pulse Test
・HB2637L-EVK-301 Double Pulse Test
평가 기판을 모델화하여, SiC MOSFET의 더블 펄스 테스트 환경을 온라인 시뮬레이터로 구비하였습니다. 동작전압 · 게이트 구동 회로 · 스너버 회로 정수 등에 따른 스위칭 파형을 시뮬레이션으로 평가할 수 있어, 실제 기기 평가 시의 공수 삭감 및 기생 다이오드의 영향 평가 등에서 활용할 수 있습니다. *이용 시에는 MyROHM 등록이 필요합니다.
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평가 보드
| Category | SiC Product | Image | Part No. | User Guide | 보드 구입 | |
| SiC-MOS | Evaluation Board |
SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-N | ![]() |
P04SCT4018KE-EVK-001 | 유저 가이드 제품 사양서 |
온라인 구입 |
| SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-4L | ![]() |
P05SCT4018KR-EVK-001 | 온라인 구입 |
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| SCT3XXX series Trench(3rd Generation) TO-247-4L | ![]() |
P02SCT3040KR-EVK-001 | 유저 가이드 제품 사양서 |
온라인 구입 |
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Models & Tools
Simulations (Login Required)
「ROHM Solution Simulator」는 로옴 공식 Web 사이트 상에서 동작하는 전자 회로 시뮬레이션 툴입니다. 부품 선정 및 디바이스 단품 검증 등의 개발 초기 단계부터 시스템 레벨의 검증 단계까지 폭넓게 Web 상에서 시뮬레이션할 수 있습니다. 로옴이 제공하는 SiC 디바이스 등의 파워 디바이스 제품과 구동 IC · 전원 IC 등의 IC 제품을, 실제 환경에 가까운 솔루션 회로에서 빠르고 간단하게 일괄 검증할 수 있으므로, 어플리케이션 개발의 대폭적인 공수 (공정 및 시간) 삭감에 기여합니다.
Application
Topology
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