SCT4090KR (신제품)
1200V, 19A, 4핀 THD, Trench 구조, SiC MOSFET
SCT4090KR (신제품)
1200V, 19A, 4핀 THD, Trench 구조, SiC MOSFET
SCT4090KR은 SiC (실리콘 카바이드) Trench MOSFET입니다. 고내압 특성, 저 ON 저항, 고속 스위칭 속도가 특징입니다.
ROHM의 4세대 SiC MOSFET의 장점
기존 제품 대비 ON 저항을 약 40% 저감, 스위칭 손실을 약 50% 저감했습니다. 게이트-소스 전압이 15V이므로 어플리케이션 설계를 용이하게 합니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
90
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
19
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
특징 :
- 낮은 ON 저항
- 고속 스위칭 속도
- 고속 역회복
- 병렬 연결 용이
- 간단한 구동
- Pb-free 리드 도금 ; RoHS 준수
