SCT4090KEHR (신제품)
1200V, 19A, 3핀 THD, Trench 구조, 오토모티브용 SiC MOSFET
SCT4090KEHR (신제품)
1200V, 19A, 3핀 THD, Trench 구조, 오토모티브용 SiC MOSFET
AEC-Q101 준거 오토모티브용 제품. SCT4090KEHR은 SiC (실리콘 카바이드) Trench MOSFET입니다. 고내압 특성, 낮은 ON 저항, 고속 스위칭 스피드를 특징으로 합니다.
ROHM의 4세대 SiC MOSFET의 장점
이 시리즈는 기존 제품에 비해 ON 저항이 약 40% 감소하고 스위칭 손실이 약 50% 감소했습니다. 15V 게이트-소스 전압으로 애플리케이션 설계를 더 쉽게 할 수 있습니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
90
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
19
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
특징 :
- AEC-Q101 준거
- 낮은 ON 저항
- 고속 스위칭 스피드
- 빠른 역회복
- 병렬 연결 용이
- 심플한 구동
- Pb-free 리드 도금 ; RoHS 규제 준수
