SCT4090KE (신제품)
1200V, 19A, 3핀 THD, 트렌치 구조, SiC MOSFET
SCT4090KE (신제품)
1200V, 19A, 3핀 THD, 트렌치 구조, SiC MOSFET
SCT4090KE는 SiC (실리콘 카바이드) 트렌치 MOSFET입니다. 고내압 특성, 저 ON 저항, 고속 스위칭이 특징입니다.
ROHM 제4세대 SiC MOSFET의 장점
이 시리즈는 기존 제품에 비해 ON 저항 약 40% 저감, 스위칭 손실 약 50% 저감을 실현했습니다. 15V 게이트-소스 전압으로 애플리케이션 설계가 더욱 용이합니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
90
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
19
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
특징 :
- 낮은 ON 저항
- 고속 스위칭
- 고속 리버스 리커버리
- 병렬 접속 용이
- 구동 용이
- Pb-free 리드 도금 ; RoHS 준수
