SCT4065DR (신제품)
750V, 25A, 4핀 THD, 트렌치 구조, SiC (실리콘 카바이드) MOSFET
SCT4065DR (신제품)
750V, 25A, 4핀 THD, 트렌치 구조, SiC (실리콘 카바이드) MOSFET
SCT4065DR은 SiC (실리콘 카바이드) 트렌치 MOSFET입니다. 고내압, 저 ON 저항, 고속 스위칭 속도가 특징입니다.
ROHM의 4세대 SiC MOSFET의 장점
이 시리즈는 기존 제품에 비해 ON 저항이 약 40% 감소하고 스위칭 손실이 약 50% 감소했습니다. 15V 게이트-소스 전압으로 애플리케이션 설계를 더 쉽게 합니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
65
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
25
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
특징 :
- 낮은 ON 저항
- 고속 스위칭 속도
- 고속 역회복
- 병렬 연결 용이
- 구동 용이
- Pb-free 리드 도금; RoHS 규격 준수
