SCT4065DR
750V, 25A, 4핀 THD, 트렌치 구조, SiC (실리콘 카바이드) MOSFET
SCT4065DR
750V, 25A, 4핀 THD, 트렌치 구조, SiC (실리콘 카바이드) MOSFET
SCT4065DR은 SiC (실리콘 카바이드) 트렌치 MOSFET입니다. 고내압, 저 ON 저항, 고속 스위칭 속도가 특징입니다.
ROHM의 4세대 SiC MOSFET의 장점
이 시리즈는 기존 제품에 비해 ON 저항이 약 40% 감소하고 스위칭 손실이 약 50% 감소했습니다. 15V 게이트-소스 전압으로 애플리케이션 설계를 더 쉽게 합니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
65
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
25
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
특징 :
- 낮은 ON 저항
- 고속 스위칭 속도
- 고속 역회복
- 병렬 연결 용이
- 구동 용이
- Pb-free 리드 도금; RoHS 규격 준수
